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公开(公告)号：CN101335235A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710182348.7
申请日：2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B23K26/06 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号：CN100388503C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN03810502.0
申请日：2003-05-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L31/0224
Abstract: 将半导体基板(1)的光电二极管的阳极及阴极这两类电极集中在基板的单面上。这可以利用贯穿半导体基板(1)的孔(H)将其中一方电气地引导至另一面来实现，半导体基板(1)通过研磨被薄膜化，因此，可缩短孔(H)的形成时间。另外，由于贴合有用于对在制造工序中薄膜化的半导体基板进行加固的支撑基板(3)，所以在加工过程中容易进行晶片的处理，适合于量产化。
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公开(公告)号：CN1630810A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03803643.6
申请日：2003-02-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及光检测装置。光检测装置(1)具备光电二极管PDn、积分电路(10n)、CDS电路(20n)及保持电路(30n)。积分电路(10n)包含放大器(11n)、电容器C及开关SW。在第1基板(100)上排列光电二极管(PDn)。在第2基板(200)上配置积分电路(10n)的放大器(11n)的差动对输入部(晶体管T1、T2)及电容器C等。在第3基板(300)上配置积分电路(10n)的放大器(11n)的驱动部(晶体管T5、T6)等。
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公开(公告)号：CN106663641B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580042313.6
申请日：2015-08-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L24/73 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/103 , H01L2224/0347 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/05669 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/28105 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29018 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83469 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的电子部件(1A)包含基板(10)、多层导电性金属材料层(21、22、23)的层叠体(20)、由Au‑Sn合金焊料构成的焊料层(30)。层叠体(20)配置于基材(10)上。焊料层(30)配置于层叠体(20)上。作为构成最外层的导电性金属材料层(23)，层叠体(20)具有由Au构成的表面层。表面层包含供配置焊料层(30)的焊料层配置区域(23a)、及不配置焊料层(30)的焊料层非配置区域(23b)。焊料层配置区域(23a)与焊料层非配置区域(23b)空间性地隔开。
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公开(公告)号：CN105009289B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201480009663.8
申请日：2014-02-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/144 , G01T1/161 , G01T1/20 , H01L31/107
Abstract: 本发明的检测器的各个半导体芯片具备：半导体基板，其具有多个光检测部；绝缘层，其形成在半导体基板的表面上；共用电极，其配置在绝缘层上；读出配线，其将各个光检测部的降压电阻与共用电极电连接；以及贯通电极，其从共用电极经由半导体基板的贯通孔而延伸至半导体基板的背面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105009289A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009663.8
申请日：2014-02-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/144 , G01T1/161 , G01T1/20 , H01L31/107
CPC classification number: H01L27/14663 , G01N23/046 , G01T1/241 , G01T1/2985 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14661 , H01L31/022408 , H01L31/115 , H01L2224/13
Abstract: 本发明的检测器的各个半导体芯片具备：半导体基板，其具有多个光检测部；绝缘层，其形成在半导体基板的表面上；共用电极，其配置在绝缘层上；读出配线，其将各个光检测部的降压电阻与共用电极电连接；以及贯通电极，其从共用电极经由半导体基板的贯通孔而延伸至半导体基板的背面。
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公开(公告)号：CN1983556A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164346.0
申请日：2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号：CN101335235B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710182348.7
申请日：2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B23K26/06 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号：CN1983557A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164347.5
申请日：2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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公开(公告)号：CN1643656A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03805866.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L21/76894 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。
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