公开(公告)号：CN103190000B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180052213.3

申请日：2011-10-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 里健一 ,  山村和久 ,  大须贺慎二

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02027

Abstract: 光电二极管阵列（10）包含：淬灭电阻（7），与各个雪崩光电二极管（APD）串联连接；外周配线（WL），包围形成有多个雪崩光电二极管（APD）的区域；及多个中继配线（8），电连接于外周配线（WL），且分别连接外周配线（WL）的至少2个部位之间。各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的一方经由淬灭电阻（7）而电连接于中继配线（8）的任意一个，各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的另一方电连接于设置于半导体基板的其它的电极（6）。

公开(公告)号：CN104064621A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410320086.6

申请日：2010-02-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  宫崎康人 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN103606588A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310641850.5

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  石川嘉隆 ,  河合哲

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: p-型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p-型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN105140315B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201510437135.9

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本明 ,  饭田孝 ,  山本晃永 ,  山村和久 ,  永野辉昌

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/144

Abstract: 准备n‑型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n‑型半导体基板(1)的第2主面(1b)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n‑型半导体基板(1)的第2主面(1b)侧，形成具有比n‑型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n‑型半导体基板1进行热处理。

公开(公告)号：CN102334197A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009099.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本明 ,  饭田孝 ,  山本晃永 ,  山村和久 ,  永野辉昌

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 准备n-型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n-型半导体基板(1)的第2主面(1a)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n-型半导体基板(1)的第2主面(1a)侧，形成具有比n-型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n-型半导体基板1进行热处理。

公开(公告)号：CN102326264A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008816.9

申请日：2010-02-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  宫崎康人 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN101484999A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025307.5

申请日：2007-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  里健一

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/107

Abstract: 光电二极管阵列(1)，由使被检测光入射的多个光检测通道(10)形成于具有n型半导体层(12)的n型的基板(2)而形成。光电二极管阵列(1)具备：在基板(2)的n型半导体层(12)上形成的p－型半导体层(13)、设在每个光检测通道(10)且一端部连接于信号导线(3)的电阻(4)、以及在多个光检测通道(10)之间形成的n型分离部(20)。p－型半导体层(13)在与基板(2)的界面构成pn结，对应于光检测通道，具有使因被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域(AM)。形成分离部(20)，使得p－型半导体层(13)的各倍增区域(AM)对应于各光检测通道(10)而形成。

公开(公告)号：CN105009289B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201480009663.8

申请日：2014-02-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤井义磨郎 ,  永野辉昌 ,  山村和久 ,  里健一 ,  土屋龙太郎

IPC: H01L27/144 ,  G01T1/161 ,  G01T1/20 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明的检测器的各个半导体芯片具备：半导体基板，其具有多个光检测部；绝缘层，其形成在半导体基板的表面上；共用电极，其配置在绝缘层上；读出配线，其将各个光检测部的降压电阻与共用电极电连接；以及贯通电极，其从共用电极经由半导体基板的贯通孔而延伸至半导体基板的背面。

公开(公告)号：CN103606588B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310641850.5

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  石川嘉隆 ,  河合哲

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: p‑型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p‑型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p‑型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p‑型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN104064621B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410320086.6

申请日：2010-02-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  宫崎康人 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。