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公开(公告)号：CN110383503B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880016049.2
申请日：2018-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10 , B82Y20/00 , C01B32/158 , G01J1/02 , H01L27/148
Abstract: 半导体光检测元件具有：半导体部，其具有包含受光区域的表面，该受光区域是接收入射光的区域，半导体部对入射到所述受光区域的入射光进行光电转换；设置在所述表面上的金属部；和碳纳米管膜，其设置在受光区域上，由多个碳纳米管堆积而成。碳纳米管膜从受光区域的上表面跨上到金属部的上表面。
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公开(公告)号：CN104685630A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050931.6
申请日：2013-11-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L27/14 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14663 , H01L31/103
Abstract: 光电二极管阵列具备形成在半导体基板的多个光电二极管。光电二极管的各个具有：第1导电型的第1半导体区域，其设置在半导体基板；第1导电型的第2半导体区域，其相对于第1半导体区域设置在半导体基板的一个面侧，具有比第1半导体区域杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的第3半导体区域，其以与第2半导体区域隔开而围绕第2半导体区域的方式，相对于第1半导体区域设置在一个面侧，与第1半导体区域一起构成光检测区域；以及贯通电极，其设置在以通过第1半导体区域和第2半导体区域的方式贯通一个面与半导体基板的另一个面之间的贯通孔内，与第3半导体区域电连接。
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公开(公告)号：CN104064621A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410320086.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN103606588A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310641850.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/144 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p-型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p-型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN106663641B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580042313.6
申请日：2015-08-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L24/73 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/103 , H01L2224/0347 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/05669 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/28105 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29018 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83469 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的电子部件(1A)包含基板(10)、多层导电性金属材料层(21、22、23)的层叠体(20)、由Au‑Sn合金焊料构成的焊料层(30)。层叠体(20)配置于基材(10)上。焊料层(30)配置于层叠体(20)上。作为构成最外层的导电性金属材料层(23)，层叠体(20)具有由Au构成的表面层。表面层包含供配置焊料层(30)的焊料层配置区域(23a)、及不配置焊料层(30)的焊料层非配置区域(23b)。焊料层配置区域(23a)与焊料层非配置区域(23b)空间性地隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104685631B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380050908.7
申请日：2013-11-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H01L27/144 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L31/022408 , H01L31/10 , H01L31/103
Abstract: 光电二极管阵列具备形成在半导体基板的多个光电二极管。光电二极管的各个具有：第1导电型的第1半导体区域，其设置在半导体基板；第2导电型的第2半导体区域，其以围绕规定区域的方式相对于第1半导体区域设置在半导体基板的一个面侧，并与第1半导体区域一起构成光检测区域；以及贯通电极，其设置在以通过第1半导体区域和规定区域的方式贯通一个面与半导体基板的另一个面之间的贯通孔内，并与第2半导体区域电连接。贯通孔包含从一个面向另一个面扩展的部分。
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公开(公告)号：CN103606588B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310641850.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/144 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p‑型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p‑型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p‑型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p‑型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN104064621B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410320086.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102334199B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201080009101.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L2224/48091 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
Abstract: 光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。
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公开(公告)号：CN105140315A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510437135.9
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L27/144
Abstract: 准备n-型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n-型半导体基板(1)的第2主面(1b)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n-型半导体基板(1)的第2主面(1b)侧，形成具有比n-型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n-型半导体基板1进行热处理。
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