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公开(公告)号：CN104737304A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054725.2
申请日：2013-10-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , H01L31/00
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。
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公开(公告)号：CN101484999B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780025307.5
申请日：2007-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/14 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14636 , H01L31/107
Abstract: 光电二极管阵列(1)，由使被检测光入射的多个光检测通道(10)形成于具有n型半导体层(12)的n型的基板(2)而形成。光电二极管阵列(1)具备：在基板(2)的n型半导体层(12)上形成的p-型半导体层(13)、设在每个光检测通道(10)且一端部连接于信号导线(3)的电阻(4)、以及在多个光检测通道(10)之间形成的n型分离部(20)。p-型半导体层(13)在与基板(2)的界面构成pn结，对应于光检测通道，具有使因被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域(AM)。形成分离部(20)，使得p-型半导体层(13)的各倍增区域(AM)对应于各光检测通道(10)而形成。
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公开(公告)号：CN105830232A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480068840.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , G01T1/24 , G01T1/161
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L31/1075 , H01L31/115
Abstract: 在本发明的光检测器中，规定半导体区域(14)的外缘的边界线(BY)由信号读出配线(E3)覆盖，在半导体区域(14)与信号读出配线(E3)之间构成电容器。载流子的高频成分(峰值成分)经由电容器，快速提取至外部，通过信号读出配线(E3)覆盖边界线(BY)，使半导体的边界线附近的电位稳定，输出信号稳定。
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公开(公告)号：CN103190000B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180052213.3
申请日：2011-10-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/146 , H01L27/14643 , H01L31/02027
Abstract: 光电二极管阵列（10）包含：淬灭电阻（7），与各个雪崩光电二极管（APD）串联连接；外周配线（WL），包围形成有多个雪崩光电二极管（APD）的区域；及多个中继配线（8），电连接于外周配线（WL），且分别连接外周配线（WL）的至少2个部位之间。各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的一方经由淬灭电阻（7）而电连接于中继配线（8）的任意一个，各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的另一方电连接于设置于半导体基板的其它的电极（6）。
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公开(公告)号：CN104737304B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201380054725.2
申请日：2013-10-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146 , H01L31/00
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L28/24 , H01L31/02027 , H01L31/022416 , H01L31/022466 , H01L31/107
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。
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公开(公告)号：CN103650166B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180072092.9
申请日：2011-12-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1446
Abstract: 本发明提供光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法。对光电二极管阵列施加反偏电压，该光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各雪崩光电二极管串联连接的降压电阻。使施加的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为基准电压而决定。将对所决定的基准电压加上规定的值而得到的电压作为推荐动作电压而决定。
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公开(公告)号：CN103190000A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052213.3
申请日：2011-10-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/146 , H01L27/14643 , H01L31/02027
Abstract: 光电二极管阵列（10）包含：淬灭电阻（7），与各个雪崩光电二极管（APD）串联连接；外周配线（WL），包围形成有多个雪崩光电二极管（APD）的区域；及多个中继配线（8），电连接于外周配线（WL），且分别连接外周配线（WL）的至少2个部位之间。各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的一方经由淬灭电阻（7）而电连接于中继配线（8）的任意一个，各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的另一方电连接于设置于半导体基板的其它的电极（6）。
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公开(公告)号：CN108431968B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201680074846.7
申请日：2016-12-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10 , G01J1/02 , G01J1/42 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其具备：多个像素(10)，其形成于共用的半导体基板(30)，且分别包含雪崩光电二极管；第1配线(21)，其形成于上述半导体基板上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第1像素(11)电连接，且将来自上述两个以上的第1像素(11)的输出电流一并提取；以及第2配线(22)，其形成于上述半导体基板(30)上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第2像素(12)电连接，且将来自上述两个以上的第2像素(12)的输出电流一并提取；且上述第1像素(11)的受光面积大于上述第2像素(12)的受光面积。
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公开(公告)号：CN107408563B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201580077830.7
申请日：2015-12-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , G01J1/02 , H01L27/144 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/369
Abstract: 本发明的半导体基板(1N)具有：配置有多个像素的第一区域(RS1)，及从主面(1Na)与主面(1Nb)相对的方向观察、以被第一区域(RS1)包围的方式位于第一区域(RS1)的内侧的第二区域(RS2)。在半导体基板(1N)的第二区域(RS2)形成有贯通半导体基板(1N)的贯通孔(TH)。配置于半导体基板(1N)的主面(1Na)侧且与多个像素电性连接的电极(E3)，与配置于搭载基板(20)的主面(20a)侧的电极(E5)经由插通于贯通孔(TH)的接合引线(W1)而连接。
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公开(公告)号：CN108431968A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074846.7
申请日：2016-12-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10 , G01J1/02 , G01J1/42 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: G01J1/02 , G01J1/42 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其具备：多个像素(10)，其形成于共用的半导体基板(30)，且分别包含雪崩光电二极管；第1配线(21)，其形成于上述半导体基板上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第1像素(11)电连接，且将来自上述两个以上的第1像素(11)的输出电流一并提取；以及第2配线(22)，其形成于上述半导体基板(30)上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第2像素(12)电连接，且将来自上述两个以上的第2像素(12)的输出电流一并提取；且上述第1像素(11)的受光面积大于上述第2像素(12)的受光面积。
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