半导体发光装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106410020A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610140817.8

    申请日:2016-03-11

    Abstract: 本发明的实施方式提供一种使光的提取效率提高的半导体发光装置。根据实施方式,半导体发光装置包含:半导体发光芯片,包含半导体层;透明膜,设置在所述半导体层上;及荧光体树脂层,设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体。所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。

    发光二极管
    9.
    外观设计

    公开(公告)号:CN302919029S

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201430112880.2

    申请日:2014-04-30

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:发光二极管。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于作为发光部使用。3.本外观设计产品的设计要点:如立体图1以及立体图2所示。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图1。5.省略视图:仰视图与俯视图对称,故省略。6.B-B剖面参考图中的斜线部分透明,格子线部分具有透光性。

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