公开(公告)号：CN106410020A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610140817.8

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 牛山直矢 ,  小串昌弘 ,  田村一博 ,  江越秀德 ,  黑木敏宏

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明的实施方式提供一种使光的提取效率提高的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包含：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体。所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。

公开(公告)号：CN105428511A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510556155.8

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江越秀德 ,  野口吉雄 ,  井上一裕 ,  荒川崇 ,  竹内辉雄 ,  黑木敏宏 ,  小串昌弘

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及一种半导体发光装置及导线架。根据实施方式，半导体发光装置包括导线架、芯片、壁部及荧光体层。所述芯片搭载在所述导线架上，且具有衬底、及设置在所述衬底上的发光元件。所述壁部具有与所述芯片的侧部对向的内壁、及所述内壁的相反侧的外壁。所述荧光体层至少设置在所述芯片上。所述芯片的所述侧部与所述壁部的所述内壁之间的距离小于所述芯片的厚度。所述导线架的上表面与所述内壁所成的角小于所述导线架的所述上表面与所述外壁所成的角。

公开(公告)号：CN106058005A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610141800.4

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 赤松祐季 ,  野口吉雄 ,  小串昌弘 ,  竹内辉雄 ,  黑木敏宏 ,  江越秀德 ,  荒川崇 ,  井上一裕 ,  米屋俊宏

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L33/48 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高生产性的半导体发光装置及其制造方法。根据实施方式，半导体发光装置包含第1金属部件、半导体发光元件以及绝缘层。所述第1金属部件包含含有铜的第1金属板以及含有银的第1金属层。所述第1金属层配置在所述半导体发光元件与所述第1金属板之间。所述绝缘层包含氧化硅。所述第1金属板具有与相对于从所述第1金属层朝向所述半导体发光元件的第1方向垂直的平面交叉的第1金属板侧面。所述绝缘层与所述第1金属板侧面相接。

公开(公告)号：CN104934520A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410446953.0

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 黑木敏宏 ,  小串昌弘

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L25/167 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041

Abstract: 本发明所要解决的问题在于提供一种可以提高光提取效率的半导体发光装置。本发明的半导体发光装置其特征在于包括：发光元件；含有荧光体的树脂，其设置在所述发光元件上；透明树脂，其设置在所述发光元件与所述含有荧光体的树脂之间，且与所述含有荧光体的树脂的下表面整体接触；及透镜，其设置在所述含有荧光体的树脂上。

公开(公告)号：CN104916755A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410454200.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井上一裕 ,  小串昌弘 ,  江越秀德

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/005 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据实施方式，提供一种包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、第二半导体发光元件的发光装置。第一透光部设在基板上为透光性。树脂体设在基板与第一透光部之间为光反射性，包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分与第一透光部相接。第二部分在与从基板朝向第一透光部的第一方向交叉的第二方向与第一部分隔开，与第一透光部相接。第三部分在第二方向与第一部分及第二部分隔开，设置在第一部分与第二部分之间，与第一透光部相接。第一半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第一部分与第三部分之间。第二半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第二部分与第三部分之间。