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公开(公告)号：CN114975299B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110811080.9
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/495
Abstract: 实施方式提供一种防止由内部应力引起的半导体芯片的破损的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：发光元件；受光元件；输入侧端子；开关元件；引线，包含安装有所述开关元件的安装底座及输出侧端子；以及树脂封装，将所述发光元件、所述受光元件、所述开关元件及所述安装底座封闭。所述受光元件以及所述开关元件在与从所述发光元件朝向所述受光元件的第一方向交叉的第二方向上并排。所述树脂封装包含：第一侧面，使所述输入侧端子延伸出；第二侧面，使所述输出侧端子延伸出；以及第三侧面，与所述第一侧面、第二侧面相连。所述开关元件位于所述第一、第二侧面之间的中央。所述安装底座与所述第三侧面相对，在所述第二方向上具有比所述输出侧端子的侧面的位置更靠近所述树脂封装的中心侧的侧面。
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公开(公告)号：CN111211198B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910623904.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L31/12
Abstract: 本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。
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公开(公告)号：CN106058005A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610141800.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L33/48 , H01L33/005
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高生产性的半导体发光装置及其制造方法。根据实施方式，半导体发光装置包含第1金属部件、半导体发光元件以及绝缘层。所述第1金属部件包含含有铜的第1金属板以及含有银的第1金属层。所述第1金属层配置在所述半导体发光元件与所述第1金属板之间。所述绝缘层包含氧化硅。所述第1金属板具有与相对于从所述第1金属层朝向所述半导体发光元件的第1方向垂直的平面交叉的第1金属板侧面。所述绝缘层与所述第1金属板侧面相接。
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公开(公告)号：CN113257947A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010782829.7
申请日：2020-08-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L31/153 , H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/492
Abstract: 本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置，高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件，设置在上述受光元件的侧方，在上表面上设置有第1主端子以及控制端子，在下表面上设置有第2主端子，上述第1主端子与上述第1输出端子连接，上述控制端子与上述第2输出端子连接；第1电极板，上表面与上述第2主端子连接；以及密封部件，覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面中露出上述第1电极板的下表面。
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公开(公告)号：CN105428511A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510556155.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种半导体发光装置及导线架。根据实施方式，半导体发光装置包括导线架、芯片、壁部及荧光体层。所述芯片搭载在所述导线架上，且具有衬底、及设置在所述衬底上的发光元件。所述壁部具有与所述芯片的侧部对向的内壁、及所述内壁的相反侧的外壁。所述荧光体层至少设置在所述芯片上。所述芯片的所述侧部与所述壁部的所述内壁之间的距离小于所述芯片的厚度。所述导线架的上表面与所述内壁所成的角小于所述导线架的所述上表面与所述外壁所成的角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916730A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410422735.3
申请日：2014-08-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L31/167 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H05K1/0243 , H05K1/141 , H05K2201/10053 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 根据一个实施方式，光继电器具有绝缘基板、输入端子、输出端子、芯片焊盘部、受光元件、发光元件、MOSFET及第一密封树脂层。绝缘基板具有第一面和第二面。输入端子包含第一导电区域。输出端子包含第一导电区域。受光元件粘接于芯片焊盘部。发光元件粘接于受光元件的上表面，并连接于输入端子的第一导电区域。MOSFET连接于输出端子的第一导电区域。引出电极包含于输入端子或包含于输出端子。在绝缘基板的侧面中的被作为安装面的侧面，设置包含于输入端子的安装导电区域以及包含于输出端子的安装导电区域。
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公开(公告)号：CN107275436B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710441310.0
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/167 , H01L31/173
Abstract: 一种安装部件，包括：绝缘基板、第一晶片垫单元、第一端子和第二端子。绝缘基板具有矩形的第一表面、第二表面、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面。通孔设置成从所述第一表面延伸到所述第二表面。第一晶片垫单元设置在所述第一表面上。第一端子具有覆盖所述第一侧面、所述第一表面和所述第二表面的导电区域。第二端子具有覆盖所述第二侧面和所述第二表面并经由设置在所述通孔中或者所述通孔的侧壁上的导电材料与所述第一晶片垫单元相连的导电区域。所述第一晶片垫单元、所述第一端子和所述第二端子彼此分开。
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公开(公告)号：CN107275436A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710441310.0
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/173 , H01L31/167 , H01L31/0203 , H01L31/02 , H01L25/16 , H01L23/495
CPC classification number: H01L31/173 , H01L23/49575 , H01L25/167 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/167 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 一种安装部件，包括：绝缘基板、第一晶片垫单元、第一端子和第二端子。绝缘基板具有矩形的第一表面、第二表面、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面。通孔设置成从所述第一表面延伸到所述第二表面。第一晶片垫单元设置在所述第一表面上。第一端子具有覆盖所述第一侧面、所述第一表面和所述第二表面的导电区域。第二端子具有覆盖所述第二侧面和所述第二表面并经由设置在所述通孔中或者所述通孔的侧壁上的导电材料与所述第一晶片垫单元相连的导电区域。所述第一晶片垫单元、所述第一端子和所述第二端子彼此分开。
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公开(公告)号：CN104916728A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410420945.9
申请日：2014-08-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/08
CPC classification number: H01L25/167 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L31/02002 , H01L31/02164 , H01L31/167 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种光耦合装置。根据一个实施方式，光耦合装置具有安装部件、受光元件、第一树脂层、发光元件以及第二树脂层。安装部件具有：设置有从上表面后退的凹部且具有遮光性的绝缘体层；输入端子；以及与上述输入端子绝缘的输出端子。受光元件设置于上述凹部的底面，与上述输出端子连接，将上表面作为受光面。第一树脂层以覆盖上述受光元件的方式设置在上述凹部内，且具有透光性。发光元件以作为光射出面的下表面与上述受光面对置的方式粘接于上述第一树脂层的上表面，且与上述输入端子连接。第二树脂层被设置成覆盖上述发光元件、上述绝缘体层的上述上表面、上述第一树脂层以及上述输入端子。
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公开(公告)号：CN104465531A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310722113.8
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/173 , H01L23/49575 , H01L25/167 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/167 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 一种安装部件，包括：绝缘基板、第一晶片垫单元、第一端子和第二端子。绝缘基板具有矩形的第一表面、第二表面、第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面。通孔设置成从所述第一表面延伸到所述第二表面。第一晶片垫单元设置在所述第一表面上。第一端子具有覆盖所述第一侧面、所述第一表面和所述第二表面的导电区域。第二端子具有覆盖所述第二侧面和所述第二表面并经由设置在所述通孔中或者所述通孔的侧壁上的导电材料与所述第一晶片垫单元相连的导电区域。所述第一晶片垫单元、所述第一端子和所述第二端子彼此分开。
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