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公开(公告)号:CN106058005A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610141800.4
申请日:2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L33/48 , H01L33/005
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高生产性的半导体发光装置及其制造方法。根据实施方式,半导体发光装置包含第1金属部件、半导体发光元件以及绝缘层。所述第1金属部件包含含有铜的第1金属板以及含有银的第1金属层。所述第1金属层配置在所述半导体发光元件与所述第1金属板之间。所述绝缘层包含氧化硅。所述第1金属板具有与相对于从所述第1金属层朝向所述半导体发光元件的第1方向垂直的平面交叉的第1金属板侧面。所述绝缘层与所述第1金属板侧面相接。