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公开(公告)号：CN102516875B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110372757.X
申请日：2011-11-22
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C23F1/28 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂0.01-2%，氧化剂0-5%，研磨颗粒0.1-10%，螯合剂0.001-10%，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3-5；该抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上；该氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；该研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；该螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。本发明的抛光液能有效抑制钴的静态腐蚀，降低钴的抛光速率，防止钴在抛光过程中的过腐蚀。
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公开(公告)号：CN101819944A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162432.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物，或含C的三元金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间，厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体元件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。
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公开(公告)号：CN101710577A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910199054.4
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种在铜互连技术中当采用钌(Ru)黏附层时抑制铜氧化的方法。其主要方法就是利用在铜的黏附层或扩散阻挡层中掺入适量的碳(C)，从而来抑制在退火过程中Ru对Cu的增强氧化效应，或是集成电路工作中由于温度升高而引起的Ru对Cu的增强氧化效应。本方法通过改进集成电路的工艺来提高Ru在集成电路铜互连工艺中的性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。
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公开(公告)号：CN101350364A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042500.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/36
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。
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公开(公告)号：CN100428436C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610118690.6
申请日：2006-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流-电压拟合法(I-V)、电容-电压拟合法(1/C2-V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I-V法、1/C2-V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN101140875A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710047189.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ni膜时，通过顺次淀积Ni、Ho、Ni薄膜层或Ni、Ho共淀积工艺最终对应形成Ni/Ho/Ni/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si或Ni(Ho)/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si结构，再通过退火处理使得金属薄膜与未掺杂多晶硅层发生完全硅化反应形成镍钬合金全硅化物金属栅结构，即NiHoSi/栅介质层/衬底Si结构。该方法能够有效调节NiSi全硅化物金属栅的功函数使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN101038876A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710037274.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备NiSi/Si肖特基二极管的新方法。该方法步骤是，在衬底硅片经标准RCA清洗并用稀释的HF酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化工艺在硅片表面生长一层硅的氧化物层；然后在金属镍电极淀积之后对硅片进行快速热退火和选择腐蚀处理，从而形成NiSi/Si肖特基二极管。该方法能够极大改善利用掩膜版制备的NiSi/Si肖特基二极管的整流特性，同时具有工艺简单的优点。与同样工艺条件下但没有界面氧化层的肖特基二极管相比，二极管特性得到显著改善。
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公开(公告)号：CN1571126A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410017840.5
申请日：2004-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。
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公开(公告)号：CN111551488B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010476884.3
申请日：2020-05-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种层间粘附力的测试方法及测试样片制备方法，测试样片包含硅片衬底条和附着在其表面的待测薄膜，将其放置于四点弯曲测试仪夹具中对应位置，用于测试薄膜粘附性，该测试样片的制备方法包含：获得符合目标尺寸的若干个含有待测薄膜的硅片衬底条；根据材料的弹性模量和断裂强度大小，选择若干个第二层衬底结构；将第二层衬底结构的一表面进行粗糙化处理；将硅片衬底条的含待测薄膜的一面与第二层衬底结构的粗糙化处理后的表面粘接。本发明通过对衬底材料、结构以及测试方法的改进，显著提高测试成功率，提升了四点弯曲法测试粘附力的数值上限。
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公开(公告)号：CN111244031A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010068353.0
申请日：2020-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/532 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸硅化物纳米线的制备方法及小尺寸硅化物纳米线，该方法包含：步骤1，在衬底上涂覆嵌段共聚物，经第一次退火处理，制备原始图案；步骤2，采用金属盐溶液浸泡，使金属盐被吸附至极性嵌段上；步骤3，通入氧等离子体将金属盐还原成金属，并除去有机物，使金属原位沉积形成硬掩膜；步骤4，通入CHF3及SF6的等离子体混合物，进行等离子体刻蚀，完成图形转移；步骤5，根据硅纳米线高度与金属材料化学计量比决定是否需要金属淀积以及金属淀积的厚度；步骤6，进行第二次退火处理，形成小尺寸硅化物纳米线。本发明提供的方法简单可行、成本低廉，制备的小尺寸硅化物纳米线，线宽尺寸不大于10nm，且密度高，应用场景良好。
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