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公开(公告)号:CN104263815B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201410421408.6
申请日:2014-08-25
Applicant: 复旦大学附属肿瘤医院 , 上海伯豪生物技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一组用于激素受体阳性乳腺癌预后的基因及其应用,该组基因包括:基因ESR1、PGR、ERBB2和MKI67。该组基因的应用包括:用于激素受体阳性乳腺癌预后的多重平行检测液相基因芯片、用于激素受体阳性乳腺癌预后的试剂盒和用于激素受体阳性乳腺癌预后的基因的评价系统。通过对基因ESR1、PGR、ERBB2和MKI67的液相基因芯片检测可大大减少病理科医生大量读片、判片的工作,同时解决病理上可疑的读片结果,而且准确性与IHC相当,具有更高效、更灵敏并行检测易操作等优点。
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公开(公告)号:CN104263815A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201410421408.6
申请日:2014-08-25
Applicant: 复旦大学附属肿瘤医院 , 上海伯豪生物技术有限公司
CPC classification number: C12Q1/6886 , C12Q2600/118 , C12Q2600/158
Abstract: 本发明公开了一组用于激素受体阳性乳腺癌预后的基因及其应用,该组基因包括:基因ESR1、PGR、ERBB2和MKI67。该组基因的应用包括:用于激素受体阳性乳腺癌预后的多重平行检测液相基因芯片、用于激素受体阳性乳腺癌预后的试剂盒和用于激素受体阳性乳腺癌预后的基因的评价系统。通过对基因ESR1、PGR、ERBB2和MKI67的液相基因芯片检测可大大减少病理科医生大量读片、判片的工作,同时解决病理上可疑的读片结果,而且准确性与IHC相当,具有更高效、更灵敏并行检测易操作等优点。
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公开(公告)号:CN101819944A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN201010162432.4
申请日:2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域,具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为,在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层,然后进行铜材料的填充,从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物,或含C的三元金属氮化物,金属为难熔金属,该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间,厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体元件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。
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