公开(公告)号：CN101710577A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910199054.4

申请日：2009-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁少锋 ,  谢琦 ,  屈新萍

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种在铜互连技术中当采用钌(Ru)黏附层时抑制铜氧化的方法。其主要方法就是利用在铜的黏附层或扩散阻挡层中掺入适量的碳(C)，从而来抑制在退火过程中Ru对Cu的增强氧化效应，或是集成电路工作中由于温度升高而引起的Ru对Cu的增强氧化效应。本方法通过改进集成电路的工艺来提高Ru在集成电路铜互连工艺中的性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。

公开(公告)号：CN102117796A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201110030627.8

申请日：2011-01-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁少锋 ,  屈新萍 ,  陈飞 ,  蒋玉龙 ,  茹国平

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  C22C27/04 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明利用CoxMoy合金层作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，x、y的取值范围为0.1-0.9,x和y之和为1。制备步骤为：在衬底上直接用PVD，CVD或者ALD技术淀积一层CoxMoy合金，然后沉积Cu籽晶层或直接电镀铜，得到铜互连结构。调节Co、Mo配比可获得较佳的Cu扩散阻挡性能和粘附性能。本发明利用Co、Mo合金做扩散阻挡层，粘附层和电镀籽晶层，不仅提高了Cu阻挡和粘附性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。