公开(公告)号：CN100428436C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200610118690.6

申请日：2006-11-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  罗佳 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流-电压拟合法(I-V)、电容-电压拟合法(1/C2-V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I-V法、1/C2-V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。

公开(公告)号：CN1964012A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610118690.6

申请日：2006-11-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  罗佳 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流－电压拟合法(I－V)、电容－电压拟合法(1/C2－V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I－V法、1/C2－V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。