公开(公告)号：CN101350364A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810042500.6

申请日：2008-09-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈韬 ,  屈新萍 ,  刘书一 ,  万景 ,  茹国平 ,  蒋玉龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/36

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。

公开(公告)号：CN101618852A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910056142.9

申请日：2009-08-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邓少任 ,  屈新萍 ,  陈韬 ,  刘书一 ,  万景 ,  陆冰睿

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。

公开(公告)号：CN101618852B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910056142.9

申请日：2009-08-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邓少任 ,  屈新萍 ,  陈韬 ,  刘书一 ,  万景 ,  陆冰睿

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。

公开(公告)号：CN101350364B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810042500.6

申请日：2008-09-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈韬 ,  屈新萍 ,  刘书一 ,  万景 ,  茹国平 ,  蒋玉龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/36

Abstract: 本专利属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。