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公开(公告)号：CN103096235A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310020998.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。
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公开(公告)号：CN101385392A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005195.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄膜的影响。
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公开(公告)号：CN104737007B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201380052168.0
申请日：2013-08-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G01N27/44791 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01N27/414 , G01N27/447 , G01N33/48721 , G01N33/68 , Y10S977/733 , Y10S977/832 , Y10S977/853 , Y10S977/962
Abstract: 提供了用于操控分子的机制。分子被驱动到填充有导电流体的纳米通道中。在纳米通道内部创建第一垂直电场以使分子减速和/或使分子不动。通过第一垂直电场和水平电场使分子伸展成非折叠的直链。顺序地读取分子的单体。
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公开(公告)号：CN101631739A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200780017312.1
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种MEMS器件，例如电容式麦克风，包括响应于由声波产生的压力差而自由移动的柔性膜11。第一电极13机械耦合到柔性膜11，并且它们一起形成电容式麦克风器件的第一电容板。第二电极23机械耦合到大致呈刚性的结构层或背板14，它们一起形成电容式麦克风器件的第二电容板。电容式麦克风形成在例如为硅晶片的衬底1上。背部体积33提供在膜11下面，并且使用通过衬底1的“背部蚀刻”而形成。第一腔9直接位于膜11下面，并且在制备工艺期间使用第一牺牲层而形成。插入第一和第二电极13和23之间的是第二腔17，它是在制备期间使用第二牺牲层而形成。多个通气孔15将第一腔9和第二腔17连接。多个声孔31布置在背板14中，以便使得空气分子能够自由移动，从而声波可以进入第二腔17。与背部体积33相关联的第一和第二腔9和17使得膜11能够响应于通过背板14中的声孔31进入的声波而移动。提供第一和第二牺牲层具有在制造期间保护膜以及使背部蚀刻工艺与膜的限定分离的优点。通气孔15帮助移除第一和第二牺牲层。通气孔15还有助于电容式麦克风的工作特性。
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公开(公告)号：CN1809728A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480011047.2
申请日：2004-04-22
Applicant: 量子精密仪器亚洲私人有限公司
Inventor： 马克雷·塔德乌什·米哈利维卡兹 , 齐格蒙特·雷穆察
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B3/0021 , B81B2201/0285 , B81B2203/0109 , B81B2203/051 , G01C19/00 , G01D21/00 , G01P15/0894 , Y10S977/724 , Y10S977/725 , Y10S977/732 , Y10S977/733
Abstract: 一种单块的微米或纳米的机电传感装置，包括一对分别安装一个或多个伸长的导电体(40)的基片(20，25)；和弹性固态铰链装置(30，32)，该装置与基片结合并连接基片以相对地定位基片，以致于基片的各伸长的导电体(40)以一定的间隔被对置，该间隔在跨过导体应用合适的电位差时允许导体之间可探测的量子隧道效应电流。固态铰链装置允许基片相对于伸长的导电体基片横向平行移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104737007A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380052168.0
申请日：2013-08-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G01N27/44791 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01N27/414 , G01N27/447 , G01N33/48721 , G01N33/68 , Y10S977/733 , Y10S977/832 , Y10S977/853 , Y10S977/962
Abstract: 提供了用于操控分子的机制。分子被驱动到填充有导电流体的纳米通道中。在纳米通道内部创建第一垂直电场以使分子减速和/或使分子不动。通过第一垂直电场和水平电场使分子伸展成非折叠的直链。顺序地读取分子的单体。
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公开(公告)号：CN103260123A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310141385.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 本发明是MEMS器件。一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄膜的影响。
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公开(公告)号：CN101385392B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200780005195.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄膜的影响。
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公开(公告)号：CN1599939B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN02824308.0
申请日：2002-11-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C23/00 , G01Q70/06 , G01Q70/12 , G01Q70/16 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11C13/025 , G11C2213/81 , Y10S977/732 , Y10S977/733
Abstract: 本发明公开了一种用于形成微观结构的方法。该方法包括步骤：在一衬底上淀积一籽晶材料；由籽晶材料生长出一纳米管；在衬底上淀积微观结构材料，以便于将纳米管埋入到微观结构材料中；以及将衬底分离以释放所述微观结构。所形成的微观结构包括一主体部分和埋入到主体部分中的纳米管。
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公开(公告)号：CN103096235B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310020998.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 思睿逻辑国际半导体有限公司
IPC: H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。
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