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公开(公告)号:CN109725037A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201811256833.9
申请日:2018-10-26
Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
Inventor: 中野和广
IPC: G01N27/30
CPC classification number: G01N27/414 , G01N27/301
Abstract: 本发明目的在于提供能够使测量结果稳定化的参照电极。在使内部液渗出的液络部的一方侧的一面露出的外壳设置向上述液络部的上述一面侧伸出防止该液络部从上述外壳的脱离的伸出部、和使上述液络部的上述一方侧的空间向沿着上述一面的侧方开放的开放部。
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公开(公告)号:CN108780843A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201780018514.1
申请日:2017-04-12
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/05 , G01N27/414 , H01L51/30
CPC classification number: G01N27/414 , H01L51/05
Abstract: 半导体元件,其是含有基板、第一电极、第二电极及半导体层、并且上述半导体层配置于上述第一电极与上述第二电极之间而成的半导体元件,其中,上述半导体层含有选自碳纳米管及石墨烯中的一种以上,上述半导体元件的沟道长度LC及沟道宽度WC的关系为0.01≤WC/LC≤0.8。提供开关特性优异的半导体元件、及用作传感器时具有高的检测灵敏度的半导体元件。
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公开(公告)号:CN107064271A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201611047224.3
申请日:2016-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4148 , G01N27/414
Abstract: 本发明的实施例提供了一种生物敏感场效应晶体管包括衬底、第一控制栅极和第二控制栅极。衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧、源极区和漏极区。在衬底的第一侧上设置第一控制栅极。在衬底的第二侧上设置第二控制栅极。第二控制栅极包括在衬底的第二侧上设置的感测膜。源极区和第二控制栅极之间偏置的电压小于第二控制栅极的阈值电压。本发明的实施例还提供了一种用于传感阵列的阈值失配校准的方法。
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公开(公告)号:CN104445050B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410480277.9
申请日:2014-09-18
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00047 , B81C1/00476 , G01N27/414 , G01N27/4473 , G01N33/48721 , H01L21/30604 , H01L29/06
Abstract: 实施例公开了用于创建具有极端纵横比的空腔的方法和结构,具体涉及用于更加高效和有效地刻蚀衬底和其它结构中的牺牲层和其它层的结构、系统和方法。在实施例中,其中牺牲层要被去除以例如形成空腔的衬底包括刻蚀分散系统,刻蚀分散系统包括其中刻蚀气体或另一适合的气体、流体或物质可以流动以渗透衬底并且去除牺牲层的沟槽、通道或其它结构。沟槽、通道或其它结构可以连同形成在衬底中的(诸如接近衬底的一个或多个边缘的)开口或其它孔一起被实现,以甚至更快地在衬底内分散刻蚀气体或一些其它物质。
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公开(公告)号:CN106461601A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201480078421.4
申请日:2014-11-25
Applicant: 电子部品研究院
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管(FET)离子传感器和使用该离子传感器的系统。本发明的FET离子传感器包括由半导体形成的沟道和设置在沟道顶部的栅极绝缘层,其中离子分子被吸附到沟道的表面,从而允许栅极绝缘层带电使得通道的导电率改变。
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公开(公告)号:CN104737007B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201380052168.0
申请日:2013-08-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G01N27/44791 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01N27/414 , G01N27/447 , G01N33/48721 , G01N33/68 , Y10S977/733 , Y10S977/832 , Y10S977/853 , Y10S977/962
Abstract: 提供了用于操控分子的机制。分子被驱动到填充有导电流体的纳米通道中。在纳米通道内部创建第一垂直电场以使分子减速和/或使分子不动。通过第一垂直电场和水平电场使分子伸展成非折叠的直链。顺序地读取分子的单体。
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公开(公告)号:CN105954322A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610341745.3
申请日:2016-05-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , H01L29/786 , H01L51/10
CPC classification number: G01N27/00 , G01N27/414 , G01N27/4145 , H01L29/786 , H01L51/10
Abstract: 一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器,包括由下而上依次层叠的衬底、第一栅电极、第一栅绝缘层、源/漏电极、有机半导体层、第二栅绝缘层、第二栅电极、敏感膜以及封装层,其中,第一栅电极、第一栅绝缘层、源/漏电极和有机半导体层构成置于底部的底栅晶体管,作为参考器件,源/漏电极、有机半导体层、第二栅绝缘层和第二栅电极构成置于顶部的顶栅晶体管,用作敏感器件,该顶栅晶体管与底栅晶体管构建成低电压双栅结构的有机薄膜晶体管,顶栅晶体管与底栅晶体管具有大差异的栅电容值,有机半导体层具有低的禁带缺陷密度。本发明具有工作电压低、灵敏度高、成本低、检测目标多样等优点,能够兼容大面积、快速的印刷/涂布制备工艺,可用于制造可穿戴或移动式传感器,在健康监测、保健医疗领域应用前景广阔。
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公开(公告)号:CN104937402A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201480005920.0
申请日:2014-01-24
Applicant: 威立雅水务解决方案与技术支持公司
IPC: G01N27/30 , G01N27/414 , G01N27/416 , G01N27/42
CPC classification number: G01N27/3335 , G01N27/302 , G01N27/414 , G01N27/4165
Abstract: 本发明涉及用于测量流出物的pH的设备,所述设备包括用于测量要与所述流出物接触的代表所述流出物的pH的信息的装置。根据本发明,这种设备还包括用于修改所述测量装置附近的所述流出物的pH值的装置。
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公开(公告)号:CN102788818B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201210061783.5
申请日:2012-03-09
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor: 奥瑞利·休伯特 , 德克·格雷夫施泰因 , 皮特·特尼斯森 , 科内利斯·巴斯蒂安森
CPC classification number: G01N27/414 , G01N27/227
Abstract: 本发明提供大气传感器、NFC装置、封装和制造方法。本发明公开的是用于检测大气的组分(20)的传感器,所述传感器包括传感表面(14,16),所述传感表面(14,16)被可在对于所述组分具有渗透性的相应层取向之间转换的材料的阻挡层(18)覆盖。还公开的是包括这样一种传感器的NFC装置、结合NFC装置的封装和制造所述传感器的方法。
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公开(公告)号:CN102317767B
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN200980156572.6
申请日:2009-12-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N27/414 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/414 , G01N27/4141 , G01N33/0013
Abstract: 本发明涉及一种用于确定气体混合物中的气体成分的气体传感器的传感器元件,其包括场效应晶体管和/或二极管,在与要探测的气体接触时它们具有变化的电流,并且它们以由保护帽保护避免气体混合物直接进入的方式被定位。按照本发明规定,所述保护帽(18)具有加热机构(24),玻璃形成体(34)和/或氧化催化剂(32)。
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