公开(公告)号：CN109696268A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811228072.6

申请日：2018-10-22

Applicant: 泰连公司

Inventor： B.W.圭拉迪

IPC: G01L9/04 ,  G01L9/06

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/035 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0055 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/04 ,  G01L9/04 ,  G01L9/06

Abstract: 一种压力传感器组件(100)包括传感器管芯(102)和陶瓷基板(104)。所述传感器管芯包括具有隔膜(106)的硅芯片(202)，所述隔膜配置为暴露于工作流体。所述传感器管芯包括一个或多个电感测元件(109)，其安装在所述隔膜上且配置为测量所述工作流体的压力。所述传感器管芯经由焊料层(201)安装至所述陶瓷基板，所述焊料层接合所述陶瓷基板和所述传感器管芯的第二侧(204)。

公开(公告)号：CN108696811A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810307956.4

申请日：2018-04-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施泰尔特 ,  H·托伊斯

IPC: H04R19/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H04R1/04 ,  H04R7/06 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H04R19/00 ,  H04R31/00 ,  H04R2231/00

Abstract: 本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法，其中，所述方法还包括提供第一衬底(200)，其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。

公开(公告)号：CN108572042A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810155151.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松沢勇介 ,  田中信幸

IPC: G01L7/08 ,  G01L1/04

CPC classification number: G01L19/04 ,  B81B3/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/065 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/06 ,  G01L19/145 ,  G01L7/08 ,  G01L1/04

Abstract: 本发明提供一种能够发挥优异的压力检测精度的压力传感器、压力传感器的制造方法、压力传感器模块、电子设备及移动体。压力传感器具有：基板，其具有通过受压而发生挠曲变形的隔膜；侧壁部，其被配置于所述基板的一面侧，并在俯视观察时包围所述隔膜；密封层，其以隔着空间而与所述隔膜对置的方式被配置，并对所述空间进行密封，所述密封层具有：第一硅层，其具有面对所述空间的贯穿孔；氧化硅层，其相对于所述第一硅层位于与所述空间相反的一侧，并对所述贯穿孔进行密封；第二硅层，其相对于所述氧化硅层而位于与所述空间相反的一侧。

公开(公告)号：CN108383076A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810105212.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0005 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  H04R7/10 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 膜构件包括具有导电膜层的膜结构。导电膜层具有悬置区域和膜区域。另外，导电膜层的悬置区域布置在绝缘层上。此外，绝缘层布置在承载基体上。此外，膜构件包括对电极结构。在对电极结构和导电膜层的膜区域之间垂直地布置有空腔。此外，所述导电膜层的边缘以在所述导电膜层和所述对电极结构之间的垂直距离一半以上为幅度横向突出超过所述绝缘层的边缘。此外，所述导电膜层吸收在所述导电膜层的膜区域偏移时而施加在所述膜结构上的90％以上的力。

公开(公告)号：CN108168765A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201810043620.1

申请日：2015-01-26

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  H·弗雷利施 ,  M·福格特 ,  M·施特格曼 ,  A·罗特 ,  B·温克勒 ,  B·宾德

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: G01L9/00 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0072

Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统和方法。在一个实施例中，传感器器件包括：基片；多个不同的、单独的、不接触的支撑元件，彼此间隔开并且布置在基片上，多个支撑元件中的每个支撑元件成圆柱形；以及可移动元件，由多个不同的、单独的、不接触的支撑元件支撑在基片上并且与基片间隔开，其中可移动元件、基片以及多个不同的、单独的、不接触的支撑元件限定腔体，可移动元件能够响应于由传感器器件感测的物理量而偏转进入腔体。上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。

公开(公告)号：CN108017036A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710459683.0

申请日：2017-06-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·朱斯蒂 ,  S·康蒂

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R17/02 ,  B81B3/0037 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L41/042 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/312 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种压电型MEMS传感器、具体地麦克风(50)，形成于采用半导体材料的容纳柔顺部分(54)的膜(52)中，该柔顺部分从该膜的第一表面(52a)延伸至第二表面(52b)。该柔顺部分(54)具有低于该膜(52)的其余部分的杨氏模量。具有半导体材料的敏感区域(57)在该柔顺部分(54)上方在该第一表面(52a)上延伸，并且在其端部在所述柔顺部分(54)的相反侧上固定至所述膜(52)上。所述膜的安排在所述柔顺部分(54)与所述第二表面(52b)之间的第三区域(55)形成铰链元件。

公开(公告)号：CN106029554B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201580009172.8

申请日：2015-02-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  T·克拉默 ,  D·C·迈泽尔 ,  H·本泽尔 ,  J·弗莱 ,  C·舍林

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/017 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。

公开(公告)号：CN102956810B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201210269364.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载兴

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/27

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/053

Abstract: 本发明提供一种电容式传感器及其制造方法和操作方法。该电容式传感器包括：第一掺杂区；第二掺杂区，具有与第一掺杂区相反的导电性并包括第一振动部分；以及空置空间，设置在第一掺杂区与第一振动部分之间，其中第一和第二掺杂区是整体的。该振动部分包括多个通孔，并且用于密封多个通孔的材料膜设置在振动部分上。

公开(公告)号：CN107209078A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006742.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

公开(公告)号：CN107055455A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610984262.5

申请日：2016-11-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R·鲁萨诺夫

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H05B3/12 ,  H05B3/16 ,  G01N33/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B7/0087 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  H05B3/10 ,  B81B7/0096 ,  B81C1/0069 ,  G01N33/0004 ,  H05B3/12 ,  H05B3/16

Abstract: 用于MEMS传感器(100)的加热装置(10)，所述加热装置具有：‑用于电流的金属导入元件(11)；‑用于电流的金属导出元件(12)；和‑在所述导入元件(11)和所述导出元件(12)之间构造的限定数量的金属加热元件(13)，其中，在所述导入元件(11)中、在所述导出元件(12)中和在所述加热元件(13)中能够形成基本恒定的电流密度。