由多晶物质形成微米级结构

    公开(公告)号:CN1321438C

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN01806412.4

    申请日:2001-03-13

    Abstract: 本申请公开了一种利用常规多层结构形成微米级功能部件的方法。所述方法通常需要形成包括一个多晶层(12)和至少一个约束层(14)的多层结构(10)。对多层结构加工图案,形成第一结构(16)和第二结构(18),所述第一和第二结构均包括多晶层和约束层。随后局部加热至少第一结构(16),在加热过程中,约束层限制第一结构的多晶层的热膨胀。从而,在第一结构的多晶层中产生应力,导致从第一结构的边缘开始的基本二维的晶粒生长。充分的晶粒生长产生第三结构(20),基于多晶层的晶粒尺寸的该第三结构(20)是纳米级结构。当被恰当地成形时,纳米级结构可形成为电气、机械、光学和流体处理装置的工作组件。

    变形材料及驱动器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103490004A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310218292.1

    申请日:2013-06-04

    CPC classification number: H01L41/193 B82Y30/00 F03G7/005 Y10S977/832

    Abstract: 本发明提供能够以低电压产生大的变位的变形材料、以及使用其的驱动器。本发明的变形材料,其特征在于,包含通过氧化还原反应而分子的结构发生改变的刺激响应性化合物和电子导电性物质,所述刺激响应性化合物为通过聚合性官能团聚合而成的聚合物。所述电子导电性物质在变形材料中优选为粒子状。另外,所述电子导电性物质的平均粒径优选为1nm以上10μm以下。另外,作为所述电子导电性物质优选包含碳材料。

    规则排列的纳米粒子状二氧化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN101137579A

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN200680007589.1

    申请日:2006-03-10

    Abstract: 本发明提供一种超微粒子形式的、具有中孔和规则结构的新型二氧化硅及其制备方法。本发明涉及一种自组织化纳米粒子状二氧化硅及其制备方法,该自组织化纳米粒子状二氧化硅的特征在于平均粒径为4~30nm,优选为6~20nm,这些粒子有规则地排列以形成简单立方晶格。本发明的自组织化纳米粒子状二氧化硅通过下述方法制备:将烷氧基硅烷与碱性氨基酸的水溶液混合,使该混合液于40~100℃下反应后,干燥,优选干燥后进一步进行煅烧。另外,本发明还涉及一种粒径为4~30nm的二氧化硅微粒的制备方法,该方法是将具有1~4个烷氧基的烷氧基硅烷化合物的溶液与碱性氨基酸溶液混合,于20~100℃的反应温度下进行水解、缩聚。

    由多晶物质形成微米级结构

    公开(公告)号:CN1636269A

    公开(公告)日:2005-07-06

    申请号:CN01806412.4

    申请日:2001-03-13

    Abstract: 本申请公开了一种利用常规多层结构形成微米级功能部件的方法。所述方法通常需要形成包括一个多晶层(12)和至少一个约束层(14)的多层结构(10)。对多层结构加工图案,形成第一结构(16)和第二结构(18),所述第一和第二结构均包括多晶层和约束层。随后局部加热至少第一结构(16),在加热过程中,约束层限制第一结构的多晶层的热膨胀。从而,在第一结构的多晶层中产生应力,导致从第一结构的边缘开始的基本二维的晶粒生长。充分的晶粒生长产生第三结构(20),基于多晶层的晶粒尺寸的该第三结构(20)是纳米级结构。当被恰当地成形时,纳米级结构可形成为电气、机械、光学和流体处理装置的工作组件。

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