Invention Grant
- Patent Title: MEMS器件
- Patent Title (English): MEMS device
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Application No.: CN200780005195.7Application Date: 2007-03-20
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Publication No.: CN101385392BPublication Date: 2013-05-29
- Inventor: R·I·拉明 , M·贝格比
- Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
- Applicant Address: 英国爱丁堡
- Assignee: 沃福森微电子股份有限公司
- Current Assignee: 沃福森微电子有限公司
- Current Assignee Address: 英国爱丁堡
- Agency: 北京北翔知识产权代理有限公司
- Agent 杨勇; 郑建晖
- Priority: 0605576.8 2006.03.20 GB
- International Application: PCT/GB2007/000971 2007.03.20
- International Announcement: WO2007/107735 EN 2007.09.27
- Date entered country: 2008-08-12
- Main IPC: H04R19/00
- IPC: H04R19/00
Abstract:
一种微机电器件，包括：换能器布置，其至少具有针对衬底而安装的薄膜；和电交互装置，其用于将电信号联系于所述薄膜的运动；其中，所述换能器布置包括在所述薄膜的周界内的应力减缓构造，该构造至少部分地减弱来自所述衬底的膨胀或收缩对所述薄膜的影响。
Public/Granted literature
- CN101385392A MEMS器件 Public/Granted day:2009-03-11
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