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公开(公告)号:CN109387659A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810895563.X
申请日:2018-08-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01P3/44
CPC classification number: G01C19/5712 , B81B3/0051 , B81B3/0072 , B81B2203/058 , G01C19/5747 , G01C19/5762 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , G01P3/44
Abstract: 本发明涉及一种转速传感器,具有衬底,其中,转速传感器具有关于衬底能运动的驱动结构、探测结构和科里奥利结构,其中,驱动结构、科里奥利结构和探测结构基本上布置在层中,其特征在于,附加层基本上平行于层地布置在层上方或下方,其中,借助于第一弹簧部件建立在科里奥利结构和驱动结构之间的机械连接,其中,第一弹簧部件构造为附加层的部分,和/或,其中,借助于第二弹簧部件建立在探测结构和衬底之间的机械连接,其中,第二弹簧部件构造为附加层的部分。
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公开(公告)号:CN104883651B
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201510063342.2
申请日:2015-02-06
Applicant: 先技股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0051 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , H04R2201/003
Abstract: 一种微机电麦克风装置,包括基板、微机电麦克风薄膜与氧化层。基板具有第一凹陷部。微机电麦克风薄膜位于基板上方且覆盖第一凹陷部并定义出第一空腔,微机电麦克风薄膜包括弹性部与结合部。弹性部位于微机电麦克风薄膜的中央位置,且被多个第一沟槽包围,所述多个第一沟槽彼此分离地沿弹性部的边缘排列并贯穿弹性部的相对两面。结合部位于微机电麦克风薄膜的边缘位置,连接弹性部。氧化层具有第二凹陷部,连接微机电麦克风薄膜的结合部,第二凹陷部暴露出至少部分的微机电麦克风薄膜。
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公开(公告)号:CN104627948B
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201410637249.3
申请日:2014-11-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B3/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00285 , B81C2203/0792 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器设备以及相应的制造方法。所述微机械传感器设备包括:具有前侧(VS)和背侧(RS)的CMOS晶片(1)、在所述CMOS晶片(1)的前侧(VS)上构造的具有多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)的再布线装置(1a)、具有前侧(V10)和背侧(R10)的MEMS晶片(10)、在所述MEMS晶片(1)的前侧(VS)上构造的微机械传感器装置(MS)、在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的键合连接(B)、在所述MEMS晶片(10)与所述CMOS晶片(1)之间的腔(KV)以及施加在多个堆叠的印制导线层面(LB0、LB1、LB2)和绝缘层(I)中的至少一个上的暴露的吸气剂层区域(G1;G1’),所述传感器装置(MS)密封地包围在所述腔中。
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公开(公告)号:CN104743494B
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201410769367.X
申请日:2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: B81B3/00 , G01P15/125
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2203/0136
Abstract: 本发明提供了一种能够在确保耐冲击性的同时实现小型化和电压降低的功能元件以及使用这种功能元件的加速度传感器和开关,其中所述功能元件包括:基板;和可动部,所述可动部构造成由所述基板保持并可沿着在所述基板的面内的第一方向移动,其中所述可动部包括具有相对较高刚性的多个第一轴部,所述多个第一轴部以沿着第一方向延伸且彼此线对称的方式并排配置,以及在第一轴部的大致延长线上设置构造成对所述可动部进行制动的突起。
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公开(公告)号:CN105899995B
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201480072861.9
申请日:2014-12-16
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor: 笹川照夫 , 理查德·叶 , 寇斯坦丁·狄米绰夫·乔尔杰夫 , 赫瑞什科士·维加伊库马尔·班差瓦加
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/00 , B81B3/0051 , B81B2201/047 , B81C1/00134 , G02B1/12 , G02B26/007 , G02B26/0841
Abstract: 本发明提供关于机电显示装置的系统、方法和设备。在一个方面中,多级干涉调制器IMOD可包含可移到不同位置以产生不同反射色彩的可移动反射器。所述IMOD可包含耦合到所述可移动反射器的背面且对所述可移动反射器提供支撑的可变形元件。所述可变形元件可提供将所述可移动反射器偏置到停置位置的复原力。所述IMOD可包含经配置以在啮合时增加所述复原力的一或多个复原力修改器。所述复原力修改器可位于所述可移动反射器与所述可变形元件之间,以使得当所述可移动反射器移位到接触位置时,所述可变形元件接触所述复原力修改器。
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公开(公告)号:CN103837705B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201310613108.3
申请日:2013-11-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 铃木利尚
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , G01P2015/0871
Abstract: 一种实现装置全面小型化和改善灵敏度的加速度传感器,包括第一传感器。第一传感器配备有静电电容器,所述静电电容器配置使得第一固定电极、第二固定电极和可动电极集中设置一列。在静电电容器中,第一固定电极、第二固定电极和可动电极设置为在基板平面视图中对应于锤部中心的位置处沿加速度检测方向(y轴线方向)彼此毗邻。在每一个电极的一个纵向侧端部(沿x轴线方向的一个端部)处,连接件设置为通过连接件将第一固定电极和第二固定电极连接到。
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公开(公告)号:CN103369441B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310099965.6
申请日:2013-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/007 , B81B3/0018 , B81B3/0035 , B81B3/0051 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , H04R7/06 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明公开了半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法。在一个实施例中,半导体装置包括衬底、可动电极和反电极,其中,可动电极和反电极机械连接至衬底。可动电极被配置为使可动薄膜的内区刚性。
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公开(公告)号:CN106517079A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201610191890.8
申请日:2016-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0054 , B81B3/0051 , B81B7/0048 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81C1/00325 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , B81C3/001
Abstract: 一种MEMS器件具有:支撑基部,具有与外部环境接触的底表面;传感器管芯,为半导体材料并且集成微机械检测结构;传感器框,布置在传感器管芯周围并且机械地耦合到支撑基部的顶表面;以及帽,布置在传感器管芯上方并且机械地耦合到传感器框的顶表面,帽的顶表面与外部环境接触。传感器管芯从传感器框被机械地去耦合。
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公开(公告)号:CN105712292A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201510959028.2
申请日:2015-12-18
Applicant: 德尔福芒斯公司
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0051 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H01H49/00 , H01H2059/0027 , H01H2059/0036 , H01H2227/004 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及制造MEMS器件的方法,其包括以下步骤:在牺牲基层上方形成第一隔膜层,在第一隔膜层上方形成第二隔膜层,其中第二隔膜层包括暴露第一隔膜层的侧向部分的侧向凹入部,以及形成止动件以限定第一隔膜层的移动。此外,提供了MEMS器件,其包括可移动隔膜,可移动隔膜包括第一隔膜层与形成在第一隔膜层上方的第二隔膜层,其中第二隔膜层包括暴露第一隔膜层的侧向部分的侧向凹入部。
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公开(公告)号:CN102164846B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN200980137328.5
申请日:2009-07-09
Applicant: 盾安美斯泰克公司(美国)
Inventor: H·亨尼卡特
CPC classification number: F16K99/0001 , B81B3/0051 , B81B2201/054 , F16K99/0044 , F16K2099/0074 , F16K2099/008
Abstract: 一种微型阀装置,包括:主体;由所述主体支撑而相对于所述主体活动的阀元件,和与所述阀元件操作联接以使阀元件在正常移动范围内移动的致动器。移动限制结构与阀元件和致动器中的至少一个操作配合以用于限制阀元件或致动器在正常移动范围之外的运动量,从而防止由于超过破坏应力极限导致主体、阀元件或致动器发生故障。本发明还公开了形成具有这种移动限制结构的微型阀的方法。
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