公开(公告)号：CN108615797A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810400045.6

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  韩涛 ,  张荣 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。

公开(公告)号：CN106299066A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610824183.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 武汉光谷量子技术有限公司

Inventor： 王亮 ,  王肇中 ,  秦金 ,  李永平

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L23/544 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/105 ,  H01L33/30 ,  H01L2223/54426

Abstract: 本发明公开了一种量子点单光子源及其制备方法，涉及单光子源领域，包括在基底上生长缓冲层，在缓冲层上交替生长至少4对GaAs和Al0.95Ga0.05As，得到DBR反射镜层，在DBR反射镜层上表面生长n掺杂的GaAs作为背面栅极；预制压印模板，压印模板上设置有若干与单个量子点相匹配的凸起结构，在背面栅极上压印出纳米压印模板的结构，并刻蚀与凸起结构相对应的量子点生长应力集中区；在该区生长量子点，得到有源层，在有源层上生长正面栅极，在正面栅极上交替生长至少4对GaAs和Al0.95Ga0.05As，得到上表面DBR层，即光源样品，对光源样品进行标记、刻蚀，得到量子点单光子源。本发明能够快速准确定位量子点的位置，便于工业生产。

公开(公告)号：CN105914278A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610385587.1

申请日：2016-06-03

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡晓龙 ,  王洪 ,  齐赵毅 ,  黄华茂

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/32 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/005 ,  H01L33/10 ,  H01L33/105 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L33/465

Abstract: 本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成，金属基板为铜材料，厚度范围为80～250μm；反射电极为区域沉积于芯片中心位置，电镀种子层为整层沉积，覆盖整个反射电极以及过道区；所述电镀种子层除了起电镀种子层作用外还在于保护反射电极层的扩散，防止造成芯片漏电失效。本发明所设计光子晶体结构，不仅具有较宽的光子禁带，并且所制备的光子晶体的参数使得LED芯片具有较高的光萃取效率。

公开(公告)号：CN103378238B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210122544.6

申请日：2012-04-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/105 ,  B82Y20/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底具有一表面；一有源层，该有源层包括依次层叠设置于该基底表面的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；以及一反光层将所述第二半导体层覆盖；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。

公开(公告)号：CN102983498B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210493444.4

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 轴谷直人 ,  佐藤俊一 ,  菅原悟 ,  本村宽

IPC: H01S5/183 ,  B41J2/44 ,  B41J2/47

CPC classification number: H01S5/18361 ,  B41J2/442 ,  B41J2/473 ,  H01L33/10 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层。

公开(公告)号：CN102077428A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125447.9

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 轴谷直人 ,  佐藤俊一 ,  菅原悟 ,  本村宽

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18361 ,  B41J2/442 ,  B41J2/473 ,  H01L33/10 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。

公开(公告)号：CN101288184B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680038382.0

申请日：2006-07-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 奥德里·纳尔逊

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/105 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38

Abstract: 揭示了一种共振腔发光二极管(RCLED)装置，具有在其内设置有一个或者多个量子阱的第一有源区域、连接到第一有源区域的第一腔和第二腔，以及分别连接到第一和第二腔的第一反射器和第二反射器。该RCLED可以最优化成在二氧化碳吸收带中发射辐射。

公开(公告)号：CN101322256A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045513.8

申请日：2006-09-28

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 坂本陵 ,  岩田雅年 ,  辻川进 ,  小林良幸

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L33/025 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0282

Abstract: 本发明涉及一种发光元件(1)，其具有埋入结构的电流阻挡层(9)，电流阻挡层(9)的至少一部分的氧浓度高于发光层中的氧浓度，并且电流阻挡层(9)的厚度为5nm～100nm。在电流阻挡层(9)的下部含有蚀刻停止层(24)，蚀刻停止层(24)具有耐氧化性。采用本发明，可以提供一种电流限制效果得以提高、从而获得正向电压低且输出功率高的发光元件(1)及其制造方法。

公开(公告)号：CN1267109A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN99126434.7

申请日：1999-12-16

Applicant: 惠普公司

Inventor： C·C·科曼 ,  R·S·克恩 ,  小F·A·基希 ,  M·R·克拉梅斯 ,  A·V·努米克科 ,  宋允圭

IPC: H01S5/187

CPC classification number: H01L33/105 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/465 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/34333 ,  Y10S438/977

Abstract: 利用晶片键合或金属焊接技术可以制备具有垂直光学路径,例如垂直腔面发射激光器或谐振腔光发射或探测器件,并具有高质量反射镜的光发射器件。光发射区域介于一个或两个包含介质分布式布拉格反射器(DBR)的反射器叠层之间。介质DBR可以淀积或粘合在光发射器件上。GaP、GaAs、InP或Si材料的主衬底粘合到其中的一个介质DBR。电接触添加到光发射器件。

公开(公告)号：CN107086259A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710371326.9

申请日：2017-05-24

Applicant: 广西师范大学

Inventor： 朱君 ,  徐汶菊

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/105 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了基于表面等离子波导的新型发光二极管，其特征是，包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层，所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。这种二极管能提高LED的光萃取效率、增加光的透射、能够增强LED的电学特性、实现LED的出光效率的增强,为制备高效LED芯片提供一种新的原型器件。