公开(公告)号：CN102160199A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136552.2

申请日：2009-06-05

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 岩田雅年 ,  田崎宽郎 ,  小林良幸 ,  松浦哲也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/10

Abstract: 公开一种发光元件，其包括基板、设置在所述基板之上并且发射一次光的发光层和至少由设置在所述基板与所述发光层之间并且反射所述一次光的一层组成的反射膜。所述发光元件特征在于进一步包括由两种以上设置在所述基板和所述反射膜之间的光分散层组成的光分散多层膜。所述发光元件特征还在于所述光分散多层膜通过将由透过反射膜的一次光激发的二次光多重分散为多个波长而将其吸收。

公开(公告)号：CN101322256A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045513.8

申请日：2006-09-28

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 坂本陵 ,  岩田雅年 ,  辻川进 ,  小林良幸

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L33/025 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0282

Abstract: 本发明涉及一种发光元件(1)，其具有埋入结构的电流阻挡层(9)，电流阻挡层(9)的至少一部分的氧浓度高于发光层中的氧浓度，并且电流阻挡层(9)的厚度为5nm～100nm。在电流阻挡层(9)的下部含有蚀刻停止层(24)，蚀刻停止层(24)具有耐氧化性。采用本发明，可以提供一种电流限制效果得以提高、从而获得正向电压低且输出功率高的发光元件(1)及其制造方法。

公开(公告)号：CN102160199B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980136552.2

申请日：2009-06-05

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 岩田雅年 ,  田崎宽郎 ,  小林良幸 ,  松浦哲也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/10

Abstract: 公开一种发光元件，其包括基板、设置在所述基板之上并且发射一次光的发光层和至少由设置在所述基板与所述发光层之间并且反射所述一次光的一层组成的反射膜。所述发光元件特征在于进一步包括由两种以上设置在所述基板和所述反射膜之间的光分散层组成的光分散多层膜。所述发光元件特征还在于所述光分散多层膜通过将由透过反射膜的一次光激发的二次光多重分散为多个波长而将其吸收。

公开(公告)号：CN101322256B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680045513.8

申请日：2006-09-28

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 坂本陵 ,  岩田雅年 ,  辻川进 ,  小林良幸

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L33/025 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0282

Abstract: 本发明涉及一种发光元件(1)，其具有埋入结构的电流阻挡层(9)，电流阻挡层(9)的至少一部分的氧浓度高于发光层中的氧浓度，并且电流阻挡层(9)的厚度为5nm～100nm。在电流阻挡层(9)的下部含有蚀刻停止层(24)，蚀刻停止层(24)具有耐氧化性。采用本发明，可以提供一种电流限制效果得以提高、从而获得正向电压低且输出功率高的发光元件(1)及其制造方法。