公开(公告)号：CN107171181A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710361697.9

申请日：2017-05-22

Applicant: 苏州全磊光电有限公司

Inventor： 单智发

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18311

Abstract: 本发明提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。该激光器外延结构采用一定厚度的组分跳变的多层Al1‑xGaxAs形成氧化限制层，氧化限制层前端的形状可通过调节各层Al1‑xGaxAs的组分改变，可在氧化限制层前端形成lens结构，减小光子的散射损失，从而提高VCSEL的调制带宽。本发明还具有以下优点：1）通过调节氧化限制层中Ga的比例，减小氧化限制层的氧化速率，使氧化易于控制，提高VCSEL芯片产品良率；2）本发明氧化限制层厚度大，本征寄生电容小。

公开(公告)号：CN102820615B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210185650.9

申请日：2012-06-06

Applicant: 泰科电子瑞典控股有限责任公司

Inventor： N.P.奇蒂卡

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18394 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及一种使用在光学模块中的激光设备。该激光设备包括：第一反射器和第二反射器；适用于将电流限制在电流限制孔内的限制层；和在第一和第二反射器之间的激活层。所述激活层包括：与所述电流限制孔对齐的主激活区域和围绕该主激活区域的辅助激活区域。所述第二反射器包括：配置在所述电流限制孔上的第一反射器区域和围绕所述第一反射器区域的第二反射器区域。所述第二反射器区域和第一反射器构造成引起所述辅助激活区域中的受激复合。

公开(公告)号：CN103650264B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280033276.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/187 ,  B82Y20/00 ,  G04F5/14 ,  G04F5/145 ,  H01S5/005 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18 ,  H03L7/26

Abstract: 面发射激光器元件包括：下DBR，形成在基板上；有源层，形成在下DBR之上；上DBR，形成在有源层上。上DBR包括电介质多层，该电介质多层通过交替层叠形成具有不同折射率的电介质而形成，遮光部形成在上DBR之上，并且遮光部在中心区域具有用于发射光的开口部。

公开(公告)号：CN105518951A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480044416.1

申请日：2014-07-01

Applicant: 英菲尼斯有限责任公司

Inventor： T·牧野 ,  T·李 ,  D·尤

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

Abstract: 一种使用微机电系统(MEMS)技术的波长可调谐的垂直腔面发射激光器(VCSEL)被设置为用于光学相干层析成像(OCT)的扫频源。所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。所述MEMS可调谐量子点VCSEL能覆盖超过100nm的操作波长范围，优选具有250nm和1950nm之间的中心波长，并且扫描速率能从几kHz到几百kHz、以及高达几MHz。

公开(公告)号：CN104734011A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410767410.9

申请日：2014-12-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 竹中敏 ,  仓知祐司

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/183 ,  G04F5/145 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0623 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及面发光激光器以及原子振荡器，提供能够实现偏振光方向的稳定的面发光激光器。本发明所涉及的面发光激光器(100)包括基板(10)、设置在基板(10)上方的层叠体(2)、至少一部分设置在层叠体(2)上方的电极(82)、以及与电极(82)电连接并被进行引线接合的焊盘(84)，层叠体(2)包括设置在基板(10)上方的第1镜层(20)、设置在第1镜层(20)上方的活性层(30)、和设置在活性层(30)上方的第2镜层(40)，在俯视时，具有第1变形赋予部(2a)、第2变形赋予部(2b)、以及设置在第1变形赋予部(2a)与第2变形赋予部(2b)之间并使由活性层(30)产生的光谐振的谐振部(2c)，在俯视时，焊盘(84)被设置在与第1变形赋予部(2a)以及第2变形赋予部(2b)中的至少一方不重叠的位置上。

公开(公告)号：CN104718673A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380045781.X

申请日：2013-07-26

Applicant: 统雷有限公司 ,  普雷维乌姆研究公司

Inventor： A·E·凯布尔 ,  V·贾亚拉曼 ,  B·M·波特赛义德

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/0683 ,  G01B9/02004 ,  G01B9/02091 ,  G01N21/255 ,  G01N21/272 ,  G01N21/4795 ,  G01N2021/399 ,  G01N2201/0612 ,  H01S3/10015 ,  H01S3/10061 ,  H01S3/105 ,  H01S3/1396 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/041 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/34 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S2301/02

Abstract: 一种采用可调谐源的光学系统，其中该可调谐源包括具有大自由光谱范围的腔体、快速调谐响应以及单横和单纵模操作的短腔激光器。一种具有优化扫描的用于光谱学的系统，一种用于光束控制的系统以及用于可调谐本地振荡器的系统。

公开(公告)号：CN104521078A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380039785.7

申请日：2013-07-26

Applicant: 统雷有限公司 ,  普雷维乌姆研究公司

Inventor： A·E·凯布尔 ,  V·贾亚拉曼 ,  B·M·波特赛义德

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/0683 ,  G01B9/02004 ,  G01B9/02091 ,  G01N21/255 ,  G01N21/272 ,  G01N21/4795 ,  G01N2021/399 ,  G01N2201/0612 ,  H01S3/10015 ,  H01S3/10061 ,  H01S3/105 ,  H01S3/1396 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/041 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/34 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S2301/02

Abstract: 本发明公开了一种放大的可调谐源，包括耦合到用于高功率，频谱成形操作的光学放大器的短腔激光器。所述短腔激光器被耦合到具有2个用于扩宽增益的量子态的量子阱半导体光学放大器。所述放大的可调谐源的2个优选波长范围包括1200-1400nm和800-1100nm。还公开了耦合到光纤放大器的短腔可调谐激光器。呈现了多种与所述放大的可调谐源的结合的可调谐滤光片，以降低噪声或改善光谱纯度。

公开(公告)号：CN103078251B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210358596.3

申请日：2012-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 井久田光弘

IPC: H01S5/183 ,  G03G15/04

CPC classification number: H01S5/18386 ,  B41J2/471 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了表面发光激光器和图像形成装置。被配置为施加反射率差的第一阶梯结构和被配置为改变远视野光强度分布的第二阶梯结构被设置。在其中形成第一阶梯结构的级差的区域与在其中形成第二阶梯结构的级差的区域具有预定的关系。

公开(公告)号：CN104348084A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410379682.1

申请日：2014-08-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  仓本大 ,  前田勇树 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/18

CPC classification number: H01S5/3013 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 公开了一种发光元件及其制造方法。该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。

公开(公告)号：CN103715601A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310445806.7

申请日：2013-09-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大尾桂久

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/06 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明公开了驱动装置和发光单元。该驱动装置包括：驱动电路，其用于向发光元件提供依据控制电压而定的驱动电流；第一检测电路，它用于检测所述驱动电流；第二检测电路，其用于检测第一参考电流（用作发光时的驱动电流的基准）及第二参考电流（用作不发光时的驱动电流的基准）；第一生成电路，其通过将第一电压和校正电压相加而生成加运算电压作为发光时的控制电压，并且还生成第二电压作为不发光时的控制电压，所述校正电压是通过预定的计算而导出的；以及第二生成电路，其用于生成第三参考电流。所述第二检测电路具有将第二参考电流和第三参考电流相加而产生第一参考电流的第一加法器电路。本发明能够在电压驱动法中对驱动电流进行精确校正。