公开(公告)号：CN106299066B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201610824183.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 武汉光谷量子技术有限公司

Inventor： 王亮 ,  王肇中 ,  秦金 ,  李永平

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种量子点单光子源及其制备方法，涉及单光子源领域，包括在基底上生长缓冲层，在缓冲层上交替生长至少4对GaAs和Al0.95Ga0.05As，得到DBR反射镜层，在DBR反射镜层上表面生长n掺杂的GaAs作为背面栅极；预制压印模板，压印模板上设置有若干与单个量子点相匹配的凸起结构，在背面栅极上压印出纳米压印模板的结构，并刻蚀与凸起结构相对应的量子点生长应力集中区；在该区生长量子点，得到有源层，在有源层上生长正面栅极，在正面栅极上交替生长至少4对GaAs和Al0.95Ga0.05As，得到上表面DBR层，即光源样品，对光源样品进行标记、刻蚀，得到量子点单光子源。本发明能够快速准确定位量子点的位置，便于工业生产。

公开(公告)号：CN107359113B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201710631297.5

申请日：2017-07-28

Applicant: 武汉光谷量子技术有限公司

Inventor： 晏小平 ,  秦金 ,  王亮 ,  王肇中

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，涉及半导体材料干法刻蚀领域，包括以下步骤：S1、在InP‑外延片上通过PECVD设备，生长一层SiO2薄膜；S2、通过光刻工艺，将掩膜版上的待蚀刻图形复制在光刻胶上；S3、将光刻后的样品光刻胶上的图形转移到SiO2阻挡层上；S4、通过湿法去胶，将光刻胶去除干净；S5、将待刻蚀的样品用KOH溶液清洗2～3分钟，清洗后冲水并干燥处理；S6、将样品载入RIE工艺腔体中进行刻蚀。本发明使用RIE设备刻蚀InP材料的方法通过对干法刻蚀工艺的改进，解决了反应离子刻蚀设备刻蚀InP过程中产生的聚合物副产物污染样品的问题。

公开(公告)号：CN107359113A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710631297.5

申请日：2017-07-28

Applicant: 武汉光谷量子技术有限公司

Inventor： 晏小平 ,  秦金 ,  王亮 ,  王肇中

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明公开了一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，涉及半导体材料干法刻蚀领域，包括以下步骤：S1、在InP-外延片上通过PECVD设备，生长一层SiO2薄膜；S2、通过光刻工艺，将掩膜版上的待蚀刻图形复制在光刻胶上；S3、将光刻后的样品光刻胶上的图形转移到SiO2阻挡层上；S4、通过湿法去胶，将光刻胶去除干净；S5、将待刻蚀的样品用KOH溶液清洗2～3分钟，清洗后冲水并干燥处理；S6、将样品载入RIE工艺腔体中进行刻蚀。本发明使用RIE设备刻蚀InP材料的方法通过对干法刻蚀工艺的改进，解决了反应离子刻蚀设备刻蚀InP过程中产生的聚合物副产物污染样品的问题。

公开(公告)号：CN106299066A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610824183.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 武汉光谷量子技术有限公司

Inventor： 王亮 ,  王肇中 ,  秦金 ,  李永平

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L23/544 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/105 ,  H01L33/30 ,  H01L2223/54426

Abstract: 本发明公开了一种量子点单光子源及其制备方法，涉及单光子源领域，包括在基底上生长缓冲层，在缓冲层上交替生长至少4对GaAs和Al0.95Ga0.05As，得到DBR反射镜层，在DBR反射镜层上表面生长n掺杂的GaAs作为背面栅极；预制压印模板，压印模板上设置有若干与单个量子点相匹配的凸起结构，在背面栅极上压印出纳米压印模板的结构，并刻蚀与凸起结构相对应的量子点生长应力集中区；在该区生长量子点，得到有源层，在有源层上生长正面栅极，在正面栅极上交替生长至少4对GaAs和Al0.95Ga0.05As，得到上表面DBR层，即光源样品，对光源样品进行标记、刻蚀，得到量子点单光子源。本发明能够快速准确定位量子点的位置，便于工业生产。