公开(公告)号：CN1264199A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00101864.7

申请日：2000-02-04

Applicant: 惠普公司

Inventor： C·C·科曼 ,  小F·A·基希 ,  R·S·科恩 ,  M·R·克拉梅斯 ,  P·S·马丁

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341 ,  Y10S117/915

Abstract: 利用晶片接合或金属焊接方法可以获得具有光学通路的光发射器件,例如,垂直谐振腔表面发射器件,检测器件,具有高质量的反射镜。光发射区插入包括电介质配置Bragg反射器(DBRs)的一个或两个反射器叠层。可以淀积或贴合电介质DBRs到光发射器件上。贴合Gap,GaAs,InP,或Si基底到一个电介质DBRs上。把电接点附加到光发射器件。

公开(公告)号：CN1267109A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN99126434.7

申请日：1999-12-16

Applicant: 惠普公司

Inventor： C·C·科曼 ,  R·S·克恩 ,  小F·A·基希 ,  M·R·克拉梅斯 ,  A·V·努米克科 ,  宋允圭

IPC: H01S5/187

CPC classification number: H01L33/105 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/465 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/34333 ,  Y10S438/977

Abstract: 利用晶片键合或金属焊接技术可以制备具有垂直光学路径,例如垂直腔面发射激光器或谐振腔光发射或探测器件,并具有高质量反射镜的光发射器件。光发射区域介于一个或两个包含介质分布式布拉格反射器(DBR)的反射器叠层之间。介质DBR可以淀积或粘合在光发射器件上。GaP、GaAs、InP或Si材料的主衬底粘合到其中的一个介质DBR。电接触添加到光发射器件。

公开(公告)号：CN1262528A

公开(公告)日：2000-08-09

申请号：CN99126436.3

申请日：1999-12-16

Applicant: 惠普公司

Inventor： C·C·科曼 ,  小F·A·基希 ,  M·R·克拉梅斯 ,  P·S·马丁

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/32341

Abstract: 描述了制备InAlGaN光发射器件的设备和技术,其方法是由蓝宝石生长衬底去除光发射层。在数个实施方案中,描述了制备垂直InAlGaN光发射二极管结构的技术,这种结构可以提高性能和或降低成本。此外,还利用了金属键合、衬底剥离、和新颖的RIE器件隔离技术,以高效地在根据其导热率和制备的难易程度来选择的衬底上制备垂直GaN LED。