公开(公告)号：CN108698050A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011115.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 纳米技术仪器公司

Inventor： 阿茹娜·扎姆 ,  张博增

IPC: B02C23/08 ,  B82Y40/00 ,  C22B26/10 ,  C25B1/00

CPC classification number: C25B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/19 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/845

Abstract: 一种由层状石墨生产孤立的石墨烯片的方法，该方法包括：(a)通过电化学插层形成碱金属离子插层的石墨化合物，该电化学插层使用碱金属盐溶解在有机溶剂中的液体溶液作为电解质和插层物源两者，使用层状石墨材料作为阳极材料，并且使用金属或石墨作为阴极材料，并且其中将电流以一定电流密度施加在阴极和阳极上持续一段时间，该时间足以实现将碱金属离子电化学插层到层间间距中；并且(b)使用超声处理、热冲击暴露、暴露于水溶液、机械剪切处理、或其组合，使该碱金属离子插层的石墨化合物膨化并且从该碱金属离子插层的石墨化合物中分离六边形碳原子中间层(石墨烯平面)以生产孤立的石墨烯片。

公开(公告)号：CN105813976B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201580002366.5

申请日：2015-06-02

Applicant: 苏州高通新材料科技有限公司

Inventor： 蒋永华 ,  栗建民 ,  郝建东

IPC: C01B32/15 ,  D01F9/12

CPC classification number: C01B32/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/00 ,  C01B3/04 ,  C01B32/15 ,  C01B32/184 ,  C01B2204/04 ,  C01B2204/32 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/32 ,  C08J7/12 ,  Y02E60/324 ,  Y02E60/364 ,  Y02P20/134 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/896

Abstract: 一种从有机高分子材料制备碳粉末的方法以及一种检测有机高分子材料中的结晶形态的方法。制备碳材料产物的方法包括的碳化步骤为：使用不含重金属离子的强氧化剂使含有纳米级结晶的直链高分子材料碳化从而获得纳米级碳材料。也公开了使用酸处理有机高分子材料从而获得表面碳化的材料或含石墨烯的粉末材料的方法。

公开(公告)号：CN106660801A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580031160.5

申请日：2015-06-09

Applicant: 汉阳大学校产学协力团

Inventor： 成明模 ,  金世埈

IPC: C01B32/184

CPC classification number: H01L23/3171 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/22 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/32 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/932

Abstract: 提供石墨烯结构。所述石墨烯结构，包括：二维基底石墨烯层(base graphene layer)，其具有缺陷；及连接材料(linking material)，提供于所述基底石墨烯层的所述缺陷。

公开(公告)号：CN103094346B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210425342.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑佑仁 ,  金奇南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/772 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/518 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。

公开(公告)号：CN103779459B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310488036.4

申请日：2013-10-17

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 崔宰熏 ,  李范渊 ,  宋基荣 ,  崔洛俊

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/12 ,  H01L33/42 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/95

Abstract: 本发明公开了一种发光器件。所述发光器件包括纳米结构、设置在纳米结构上的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层。所述纳米结构包括设置在第一半导体层下方接触第一半导体层的石墨烯层和从石墨烯层的顶表面沿朝向第一半导体层的方向延伸并且接触第一半导体层的多个纳米构造物。

公开(公告)号：CN106132872A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016077.0

申请日：2015-03-26

Applicant: 曼彻斯特大学

Inventor： 拉胡尔·拉韦恩德兰-奈尔 ,  苏阳 ,  安德烈·海姆

IPC: C01B31/04 ,  C08L29/04 ,  C08K9/02 ,  C08K9/04 ,  C08K3/04

CPC classification number: B01D71/021 ,  B01D67/0044 ,  B01D71/024 ,  B32B37/12 ,  B32B37/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/182 ,  C01B32/23 ,  C08K3/04 ,  G01N15/082 ,  G01N2015/086 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/847

Abstract: 本发明涉及包含还原的氧化石墨烯的屏障材料、制造所述材料的方法及其用途。还原的氧化石墨烯优选地由通过HI、HBr或抗坏血酸还原氧化石墨烯来形成。

公开(公告)号：CN103855218B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310627769.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法默 ,  A·D·富兰克林 ,  J·T·史密斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明涉及自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法。公开了一种制造半导电器件的方法。在衬底上形成石墨烯片。在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，其中所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度。穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述衬底。

公开(公告)号：CN105462229A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510817883.X

申请日：2009-01-07

Applicant: 威斯技术基金会公司

Inventor： J·汉密尔顿 ,  P·施特赖希

IPC: C08L75/04 ,  C08L29/04 ,  C08L79/08 ,  C08L77/00 ,  C08L89/00 ,  C08L33/12 ,  C08L63/00 ,  C08K9/00 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C01B31/04 ,  C03C17/22

CPC classification number: C08L79/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/182 ,  C01B32/184 ,  C01B32/19 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/282 ,  C03C2218/116 ,  C08K3/04 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/20 ,  C09D179/04 ,  G01N21/49 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01G11/32 ,  Y02E60/13 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/261 ,  C08K9/00 ,  C03C2217/28 ,  C08K7/00 ,  C08L75/04 ,  C08L29/04 ,  C08L79/08 ,  C08L77/00 ,  C08L89/00 ,  C08L33/12 ,  C08L63/00

Abstract: 通常被认为以其原有的形式是难溶的大分子的溶剂通过在溶剂质量(通过雷利散射(Rayleigh scattering)推断)和溶剂固有的特性之间产生的“溶剂共振”来确定。溶剂共振的局部极值确定了其可能被用于选择特定的溶剂或溶剂组合物的理想溶剂的理想的固有性质。石墨烯溶剂用于制备透光的导电电极。

公开(公告)号：CN103579633B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210281927.8

申请日：2012-08-09

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 何向明 ,  王莉 ,  李建军 ,  高剑

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/60 ,  H01M4/137 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/663 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/137 ,  H01M4/1399 ,  H01M4/60 ,  H01M4/608 ,  H01M4/66 ,  H01M4/667 ,  H01M4/668 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/948

Abstract: 本发明提供一种锂离子电池正极，其包括正极集流体以及正极材料层，该正极材料层设置在该正极集流体至少一表面，该正极材料层包括正极活性材料，该正极活性材料包括硫化聚并吡啶，该硫化聚并吡啶包括聚并吡啶基体及分散在该聚并吡啶基体中的硫，该正极集流体包括聚合物基底及覆盖于该聚合物基底靠近该正极材料层的表面的石墨烯层。本发明还提供一种锂离子电池。

公开(公告)号：CN103080002B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201180034496.9

申请日：2011-06-15

Applicant: 珀金埃尔默健康科学公司

Inventor： 克莱斯特·N·费勒

IPC: C01B31/02 ,  A61K51/02 ,  G01N33/534 ,  G01N23/00

CPC classification number: G01N33/49 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B32/194 ,  C01B2202/02 ,  C07B2200/05 ,  G01N33/4833 ,  G01N33/493 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/752

Abstract: 本发明提供了一种氚代平面碳形态及其生产。提供了一种化学计量控制的平面碳形态标记方法，所述方法利用这些平面碳形态的商业制备中普遍存在的羧酸的正常缺陷。替代方法包括金属化中间体的产生，其中金属取代平面碳形态的碳骨架上的氢。然后所述金属化中间体与氚给体反应以致共价标记所述平面碳形态。所制备的氚代平面碳形态是可用于，例如，测定平面碳形态的生物性能或环境归趋。