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公开(公告)号：CN119181750B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411679890.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10H29/03 , H01L21/683
Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。
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公开(公告)号：CN116364745B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202310288997.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
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公开(公告)号：CN118039363A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410272256.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种利用极化电场的光电化学电池的光电阳极，在AlGaN/GaN异质结外延片上设置周期排列的圆柱金属电极。本发明提供的光电阳极结构，在AlGaN层与GaN层间有高浓度的二维电子气，受极化效应影响，A1GaN/GaN异质结由于导带不连续性在AIGaN/GaN界面处形成比较深的三角势阱，界面处的二维电子气被束缚在三角势阱中。在太阳光照射下产生光生电子空穴对，光生电子空穴对受极化电场作用分离，光生空穴向上移动，由周期排列的圆柱金属电极收集，加速光生空穴与电解液发生析氧反应；光生电子向下移动，汇入二维电子气，二维电子气通过金属电极通过外电路传导到铂对电极，与溶液发生析氢反应。
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公开(公告)号：CN116632135A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310639955.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电场驱动条件下具有电场增强能力的GaN基纳米LED结构，所述GaN基纳米LED结构形成贯穿ITO层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层，深至GaN缓冲层的纳米柱结构，所述纳米柱结构在多量子阱有源层的横截面积最小，往纳米柱两端的方向横截面积逐渐增加，形成中间细、两端粗的柱状结构。本发明提出的纳米柱在量子阱MQW层较细，P型和N型GaN层粗，形成中间细、两端粗的结构。该GaN基纳米柱形状能够提高交流电场环境中，量子阱层内的电场强度，同时增加电流驱动下纳米柱结构中在量子阱区域的电流密度，形成很强的电场增益和电流增益，从而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN116470960A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310150490.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/077 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种LED调制带宽快速测试系统，包括直流电源；偏置器；激光器，用于激发LED样品发光，实现光信号‑电信号‑光信号的转变；透射组件，用于整体光线的聚焦；滤光片，用于排除激光对LED发光的影响；光电探测器，检测到LED发出的光信号，并转变为电信号输出；矢量网络分析仪，分析两端口信号以绘制频率响应曲线，从而得到LED的调制带宽。本发明可以实现在不封装LED情况下对其通信性能进行测试的功能，并且可以通过激光扫描实现同时测量多个LED的调制带宽的功能。利用本发明的装置可以实现快速测量，并且光激发可以达到对LED样品零损伤的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115966582A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110601695.9
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/15 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片，采用外延片上microLED柱阵列，与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备工艺中的巨量转移，利用二维半导体可大面积转移和低温器件工艺等特点，可以实现1000PPI以上高分辨microLED显示芯片。同时，二维半导体的高迁移率可以满足microLED显示芯片对高驱动电流、低电压的要求，实现主动寻址的microLED扫描屏幕图像与动画显示。该发明兼容透明与柔性显示要求，在未来超高分辨、超高亮度显示、可见光通讯中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114059036B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111396220.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/01 , C23C16/02 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B29/04 , C30B28/14 , C30B33/00
Abstract: 本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用，具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜，在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜，采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发明利用铁薄膜来辅助剥离金刚石多晶衬底，生长过程中金属铁具有好的延展性，可以缓解蓝宝石与金刚石之间由晶格失配带来的应力，减少样品碎裂的概率。且铁金属层、金刚石层、蓝宝石之间的热膨胀系数差距较大，结合力较弱，便于采用机械剥离的方法实现金刚石多晶薄膜与蓝宝石衬底的分离，从而使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上完整剥离。
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公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN113451881A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110725102.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器，该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激，同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的受激辐射，成功获得了增强型表面等离激元纳米激光器，核心在于通过采用栅状电极对纳米光腔中的载流子实施电磁场刺激，从而增强纳米光腔中的光产生高效率的激发，降低了表面等离激元激光器的阈值，实现了室温下0.8W/cm2低阈值激射，提高激光器的品质因子Q值。本发明特色在于栅状电极与纳米光腔无接触，在实施电磁场加载的同时有效避免了漏电问题，在一个维度上可突破光学衍射极限的限制。
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公开(公告)号：CN108878469B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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