公开(公告)号：CN106252362B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610799421.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 曾勉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136245 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105 ,  H05K2203/0384

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示器技术领域，该阵列基板包括一种传输门结构，所述传输门结构由下至上依次包括：位于衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的且完全覆盖所述第一栅极的第一栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层之上的、与所述第一栅极相对的第一有源层，位于所述第一有源层之上的绝缘层，位于所述绝缘层之上的、通过位于所述绝缘层的过孔实现与所述第一有源层电连接的源漏极层，位于所述源漏极层之上的第二有源层，位于所述第二有源层之上的且完全覆盖所述第二有源层的第二栅极绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层之上的、与所述第二栅极相对的第二栅极。

公开(公告)号：CN104347642B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410378466.5

申请日：2014-08-01

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 田中淳 ,  世古畅哉 ,  林健一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：对向基板；以及包括像素区域的有源矩阵基板。所述有源矩阵基板在每个像素的非透射区域中包括透明基板、多晶硅膜、栅极绝缘膜、栅极电极、层间绝缘膜、以及包括图案化导电膜的漏极层，并且在每个像素的透射区域中包括透明电极、栅极绝缘膜、以及层间绝缘膜。层间绝缘膜包括层间绝缘膜比每个透射区域的中央部处的层间绝缘膜更薄的区域部。所述区域部分别设置为在彼此相邻的图案化导电膜之间延伸，并进一步设置为不与透射区域和置于多晶硅膜的LDD部上的区域重叠。

公开(公告)号：CN109148366A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811084408.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 陈彩琴

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1222

Abstract: 本申请提出了一种阵列基板及其制作方法，所述制作方法为通过对所述有源层进行一次离子掺杂，利用特定工艺使经过掺杂的所述有源层形成第一掺杂区和第二掺杂区。本申请通过在现有工艺以及未增加光罩的基础上，在AMOLED中增加PMOS的LDD结构，有效的降低了面板阵列制造过程中的周期，节省了制作成本。

公开(公告)号：CN109037233A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201710431986.1

申请日：2017-06-09

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 刘庭良 ,  马宏伟 ,  张锴

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/127

Abstract: 一种阵列基板及其制作方法以及显示装置。该阵列基板的制作方法包括在基板上形成源漏金属图案，基板包括显示区和位于显示区周围的周边区，位于周边区的源漏金属图案包括多个金属线；以及在各金属线的侧面形成保护结构，保护结构接触并覆盖金属线的侧面。由此，该阵列基板的制作方法可防止刻蚀液刻蚀金属线，从而防止阵列基板上短路或断路的发生，进而可提高产品良率。

公开(公告)号：CN108886042A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680001242.X

申请日：2016-11-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

Inventor： 许卓 ,  白雅杰 ,  王孝林 ,  汪锐 ,  尚飞 ,  邱海军

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请公开了阵列基板、显示面板和显示设备、及该阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括：衬底基板；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和薄膜晶体管，其包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点。

公开(公告)号：CN105609563B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610135630.9

申请日：2016-03-10

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 李金明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。所述TFT包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在栅电极上；半导体层，形成在栅极绝缘层上且与栅电极对应；像素电极，与半导体层设置在相同的层上；欧姆接触层，与半导体层形成在相同的层上且与像素电极形成在相同的层上；源电极和漏电极，设置在欧姆接触层上方。根据本发明的示例性实施例的TFT及其制造方法，半导体层和像素电极形成在同一层上，可仅使用一道掩模来制造半导体层和像素电极，从而减少掩模的数量并且简化工艺。

公开(公告)号：CN104183601B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201310728289.4

申请日：2013-12-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 郑棋永 ,  金杞泰 ,  韩昌勋

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/467 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78693 ,  H01L2029/42388

Abstract: 本发明提供了种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置包括:缓冲膜,其形成在基板上;氧化物半导体层,其具有第长度的宽度并且形成在缓冲膜上;栅极绝缘膜,其具有第二长度的宽度并且形成在氧化物半导体层上;栅电极,其具有第三长度的宽度并且形成在栅极绝缘膜上;层间绝缘膜,其形成在设置有栅电极的基板的整个表面;源电极和漏电极,其形成在层间绝缘膜上并且连接到氧化物半导体层;钝化膜,其形成在设置有源电极和漏电极的基板的整个表面上;以及像素电极,其形成在钝化膜上并且连接到漏电极。第长度大于第二长度并且第二长度大于第三长度。

公开(公告)号：CN106384714B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610894758.3

申请日：2016-10-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王珂 ,  胡合合

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于薄膜晶体管制备技术领域，可解决至少部分现有薄膜晶体管制备工艺复杂或接触电阻大的问题。该薄膜晶体管制备方法包括：形成半导体层和光刻胶层；对光刻胶层进行阶梯曝光后显影，形成光刻胶层完全去除的第一区域，光刻胶层部分保留的第二区域，和光刻胶层完全保留的第三区域；除去第一区域的半导体层，形成包括有源区的图形；减薄光刻胶层，将第二区域的光刻胶层完全除去，而第三区域保留部分光刻胶层；使第二区域的有源区导体化，形成欧姆接触层；剥离第三区域的光刻胶层；通过构图工艺至少在第三区域形成包括源极、漏极的图形。

公开(公告)号：CN105446000B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610040715.9

申请日：2016-01-21

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 唐国强

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133621 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/133562 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/086 ,  G02F2202/02 ,  G02F2202/36 ,  G02F2203/05 ,  G02F2203/055 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种护眼式液晶显示装置的制作方法，通过在阵列基板(100)的第一平坦层(70)、及彩膜基板(200)的第二平坦层(240)中添加紫外发光材料和紫外线吸收剂，使得紫外线吸收剂吸收背光模组发出的波长在400nm以下的短波蓝光及紫外光，同时吸收的短波蓝光及紫外光激发所述紫外发光材料发出波长为400nm以上的长波蓝色可见光，即通过第一平坦层(70)与第二平坦层(240)将损害人眼的紫外光及波长在400nm以下的短波蓝光转化为对人眼没有伤害的波长为400nm以上的长波蓝色可见光，既保护人眼，又不会降低液晶显示面板的显示亮度，保证液晶显示装置的背光率和穿透率。

公开(公告)号：CN104882414B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510227679.2

申请日：2015-05-06

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 石龙强 ,  韩佰祥

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0465 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法采用设置于半导体层且经过N型重掺杂的连接半导体(42)连接第一半导体(41)与第二半导体(43)，从而将第一TFT与第二TFT串联起来，该经过N型重掺杂的连接半导体(42)代替了现有技术中设置于第二金属层上的连接电极，避免了将连接电极与数据线、供电压线等讯号线共同设置于第二金属层所导致的连接电极与第二金属层的设计规则变小的问题，有利于提高显示面板的开口率、及分辨率。本发明还提供一种TFT基板结构，其结构简单，具有高开口率及高分辨率。