公开(公告)号：CN111508819B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202010073976.7

申请日：2014-09-02

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明目的在于提供一种具有吸杂能力的硅晶片，并且提供使用该硅晶片制作外延晶片或键合晶片时不发生电阻波动的硅晶片的制造方法。本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，从硅晶片的正面以1.0×1013~3.0×1016atoms/cm2的剂量注入氢离子，形成上述氢离子固溶而成的吸杂层。

公开(公告)号：CN107180756B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201710140934.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/324

Abstract: [课题]提供不产生滑移和位错、能够抑制掺杂物的扩散、进而能够抑制pn接合间的漏电流的pn接合硅晶片的制造方法。[解决手段]本发明的pn接合硅晶片的制造方法的特征在于，具有下述步骤：第1步骤，对p型单晶硅基板10的单面和n型单晶硅基板20的单面进行在真空常温下照射离子束或中性原子束的活化处理，将前述两者的单面制成活化面后，接着在真空常温下使前述两者的活化面接触，由此使p型单晶硅基板10与n型单晶硅基板20一体化，从而得到pn接合硅晶片；以及，第2步骤，对前述pn接合硅晶片实施热处理，使因前述活化处理而在前述pn接合硅晶片的贴合界面附近处产生的变质层12、14重结晶化。

公开(公告)号：CN114672879A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111597288.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: C30B29/04 ,  C30B28/14 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373

Abstract: 提供正面的与异种基板的接合性和背面的散热性两者均优异的多晶金刚石自立基板。本发明的多晶金刚石自立基板(100)具有正面(100A)和背面(100B)。正面(100A)的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下，背面(100B)的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下，正面(100A)的算术平均粗糙度Ra为1nm以上且3nm以下，厚度为300μm以上且3mm以下。

公开(公告)号：CN112514036A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980037347.4

申请日：2019-06-05

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供一种能够制造在抑制外延缺陷的形成的同时具有高吸杂能力的外延硅晶片的方法及外延硅晶片。本发明的外延硅晶片的制造方法的特征在于，包括：第1工序，对具有正面、背面及边缘区域的硅晶片，在含碳气体气氛下以800℃以上且980℃以下的温度实施热处理，在硅晶片的至少正面侧的表层部形成碳扩散层；以及第2工序，在形成于硅晶片的正面侧的表层部的碳扩散层上，以900℃以上且1000℃以下的温度形成硅外延层。

公开(公告)号：CN111508819A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010073976.7

申请日：2014-09-02

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明目的在于提供一种具有吸杂能力的硅晶片，并且提供使用该硅晶片制作外延晶片或键合晶片时不发生电阻波动的硅晶片的制造方法。本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，从硅晶片的正面以1.0×10161at0om1s3/~cm32的.0剂×量注入氢离子，形成上述氢离子固溶而成的吸杂层。

公开(公告)号：CN111051579B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201880048894.8

申请日：2018-07-17

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种金刚石层中的金刚石粒子被小粒径化的金刚石层叠硅晶片的制造方法。本发明的金刚石层叠硅晶片(100)的制造方法的特征在于，使金刚石粒子(14)附着于氧浓度为5×1017atom/cm3以下的硅晶片(10)上之后，通过化学气相沉积法以金刚石粒子(14)为晶核而使金刚石层(16)在硅晶片(10)上生长。

公开(公告)号：CN113544318A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201980084289.0

申请日：2019-10-10

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种能够制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的多晶金刚石自立基板的制造方法。将含有金刚石粒子的溶液涂布于化合物半导体基板(10)上，然后，对化合物半导体基板(10)实施热处理，由此使金刚石粒子(14)附着于化合物半导体基板(10)上。以金刚石粒子(14)为核心，通过化学气相沉积法，在化合物半导体基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。然后，对化合物半导体基板(10)进行减厚而形成化合物半导体层(18)。经这些工序，获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(18)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。

公开(公告)号：CN107180756A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710140934.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/324

Abstract: 提供不产生滑移和位错、能够抑制掺杂物的扩散、进而能够抑制pn接合间的漏电流的pn接合硅晶片的制造方法。本发明的pn接合硅晶片的制造方法的特征在于，具有下述步骤：第1步骤，对p型单晶硅基板10的单面和n型单晶硅基板20的单面进行在真空常温下照射离子束或中性原子束的活化处理，将前述两者的单面制成活化面后，接着在真空常温下使前述两者的活化面接触，由此使p型单晶硅基板10与n型单晶硅基板20一体化，从而得到pn接合硅晶片；以及，第2步骤，对前述pn接合硅晶片实施热处理，使因前述活化处理而在前述pn接合硅晶片的贴合界面附近处产生的变质层12、14重结晶化。

公开(公告)号：CN105659367A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480046679.6

申请日：2014-09-02

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明目的在于提供一种具有吸杂能力的硅晶片，并且提供使用该硅晶片制作外延晶片或键合晶片时不发生电阻波动的硅晶片的制造方法。本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，从硅晶片的正面以1.0×1013~3.0×1016atoms/cm2的剂量注入氢离子，形成上述氢离子固溶而成的吸杂层。

公开(公告)号：CN114672879B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202111597288.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 古贺祥泰

IPC: C30B29/04 ,  C30B28/14 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373

Abstract: 提供正面的与异种基板的接合性和背面的散热性两者均优异的多晶金刚石自立基板。本发明的多晶金刚石自立基板(100)具有正面(100A)和背面(100B)。正面(100A)的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下，背面(100B)的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下，正面(100A)的算术平均粗糙度Ra为1nm以上且3nm以下，厚度为300μm以上且3mm以下。