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公开(公告)号：CN119365636A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046789.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将微波等离子体照射至基板（2）的表面，而使金刚石层在基板（2）的表面上生长，在使所述金刚石层生长的工序中，使基板（2）在与基板（2）的表面平行的方向上移动，以及/或者，使所述微波等离子体的照射位置在与基板（2）的表面平行的方向上移动。由此，提供大直径金刚石基板。
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公开(公告)号：CN118202096A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073933.6
申请日：2022-10-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，并包含：通过氢焙去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；与将包含碳与硅的源气体供给至所述减压CVD装置内从而将所述3C‑SiC单晶膜成膜的第二工序，其中，所述3C‑SiC单晶膜具有与表面上的液体的接触角呈50°以下的润湿性。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够获得可使质量良好的GaN等在已成膜于单晶硅基板上的3C‑SiC单晶膜上异质外延生长的晶圆。
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公开(公告)号：CN112154229B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201980032658.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处理基板，所述阴极通过在硅基板表面上形成氮化膜而成。由此，提供一种在利用HF溶液中的电化学反应而形成多孔硅的阳极氧化中，对HF溶液中的电化学反应具有耐受性且无金属污染等，并比以往更便宜的阴极材料。此外，以比以往更便宜的方式提供高质量的多孔硅。
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公开(公告)号：CN115485817A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032465.3
申请日：2021-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L21/31 , H01L21/66
Abstract: 本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，对半导体基板进行清洗；热氧化膜的厚度推定工序，其中，求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化膜的构成，根据相关关系，推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化膜的厚度；热氧化处理条件确定工序，其中，以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准，以使热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；热氧化膜形成工序，其中，在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化膜。由此，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的薄的厚度。
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公开(公告)号：CN109564856A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046457.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119343486A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046231.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/24 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为600℃以上且1200℃以下的条件下在单晶硅基板上进行SiC的核形成的第二工序；及一边供给包含碳和硅的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为800℃以上且小于1200℃的条件下使SiC单晶生长从而形成3C‑SiC单晶膜的第三工序。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够效率良好地使质量良好的3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长。
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公开(公告)号：CN118251751A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280075372.3
申请日：2022-10-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
Abstract: 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取得因SC1清洗形成的表面粗糙度与自然氧化膜的膜厚的相关关系的工序；针对自然氧化膜形成对象的晶圆，根据欲形成的自然氧化膜的膜厚与相关关系来决定表面粗糙度，并且决定形成该表面粗糙度的SC1清洗条件的工序；利用所决定的SC1清洗条件，进行SC1清洗的工序；将因SC1清洗形成的SC1氧化膜去除的工序；及使用具有氧化力的清洗液，对已去除SC1氧化膜的晶圆进行清洗，形成自然氧化膜的工序。由此，提供一种调整表面粗糙度来精度良好且再现性良好地控制自然氧化膜的膜厚的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN118235236A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073945.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/06 , G01J4/04 , H01L21/304 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。
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公开(公告)号：CN117480591A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280041702.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明涉及半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有：准备多个通过清洗而形成的化学氧化膜中的OH基的量不同的半导体基板，以相同的热氧化处理条件对这些半导体基板进行热氧化处理，获取OH基的量与热氧化膜的厚度的第一相关关系的工序；测定以相同的清洗条件清洗并改变干燥条件的基板的OH基的量，获取干燥条件与OH基的量的第二相关关系的工序；利用第一及第二相关关系获取干燥条件与热氧化膜厚的第三相关关系的工序；由第三相关关系确定干燥及热氧化处理条件的工序；进行基板的清洗的工序；及使用在确定干燥及热氧化处理条件的工序中确定的条件对清洗后的基板进行干燥及热氧化膜形成的工序。由此，提供一种热氧化膜形成方法，其能够在不改变清洗药液的组成的情况下，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的厚度。
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公开(公告)号：CN117136428A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280026918.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用SC1清洗液清洗利用所述臭氧水进行了清洗的所述硅晶圆的第三清洗工序；及利用臭氧水清洗利用所述SC1清洗液进行了清洗的所述硅晶圆的第四清洗工序。由此，提供一种能够在将颗粒品质保持良好的同时，将硅晶圆上的自然氧化膜的膜厚以良好的再现性且高精度地控制在规定范围内的硅晶圆的清洗方法。
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