公开(公告)号：CN108878590A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810705114.4

申请日：2018-07-01

Applicant: 山东建筑大学

Inventor： 刘科高 ,  孙齐磊 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/368 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/032

Abstract: 一种用硝酸盐制备铜铁硫光电薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu(NO3)2、Fe(NO3)3和Na2S2O3.5H2O依次放入溶剂水中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN108831963A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810705112.5

申请日：2018-07-01

Applicant: 山东建筑大学

Inventor： 刘科高 ,  孙齐磊 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/032

Abstract: 一种用硫酸盐制备铜铁硒光电薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将CuSO4·5H2O、FeSO4·7H2O和SeO2依次放入溶剂水中，待充分混合均匀后加入少量盐酸溶剂，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硒光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硒光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硒光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN108767059A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810522180.8

申请日：2018-05-28

Applicant: 山东建筑大学

Inventor： 刘科高 ,  李静 ,  许超 ,  赵忠新 ,  刘宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322

Abstract: 一种制备铜铟镓碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO2、Cu(NO3)2、In(NO3)3和Ga(NO3)3先后放入溶剂中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铟镓碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN104282781B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201310398112.2

申请日：2013-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢俊安 ,  许丽 ,  吴志力

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供了一种基于黄铜矿的薄膜太阳能电池器件及其制造方法。太阳能电池包括位于衬底上方的堆叠式吸收膜。堆叠式吸收膜包括至少两组吸收材料并且每一组都包括至少三层。三层中的至少一层包括元素硒，并且三层中的至少一层包括选自由铜、铟或镓组成的组中的金属。该至少一个硒层接触该至少一个金属层。至少两组吸收材料形成包括多层嵌入式硒的吸收膜。本发明还提供了太阳能电池吸收薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN104867876B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410061345.8

申请日：2014-02-24

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 金元浩 ,  李群庆 ,  范守善

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板，在所述绝缘基板的表面设置一栅极；在所述栅极的表面设置一连续的绝缘层；在所述绝缘层的表面设置一碳纳米管层；对所述碳纳米管层进行图案化，以得到多个源极以及多个漏极；以及，提供一含有多个半导体膜碎片的悬浮液，将所述含有多个半导体膜碎片的悬浮液涂覆于所述绝缘层的表面形成包括多个半导体膜碎片的半导体层，相邻的源极和漏极之间存在至少一半导体膜碎片，该至少一半导体膜碎片覆盖部分的该相邻的源极和漏极。

公开(公告)号：CN105870246B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510025691.5

申请日：2015-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明总体上公开了在制造CIGS太阳能电池期间修复CIGS表面的氧化的方法和系统。吸收件的氧化降低CIGS表面的光致发光强度。将吸收件浸没在其中具有还原剂的还原槽中。还原剂逆转CIGS吸收件的氧化，从而增强界面质量和相应的光致发光强度。在逆转氧化之后，在CIGS吸收件上沉积缓冲层来防止进一步的表面氧化。本发明涉及通过溶液工艺修复吸收件表面的方法。

公开(公告)号：CN107228919A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710177201.2

申请日：2017-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： A·哈鲁特尤亚恩 ,  陈固纲

IPC: G01N33/00

CPC classification number: G01N27/4146 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/042 ,  H01L21/467 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  G01N33/00

Abstract: 本发明涉及一种化学传感器，其具有包括活性层状纳米材料的多条纳米带的基材和用于当与物质接触时测量所述多条纳米带中的至少一部分纳米带的电或物理特性的变化的物质检测部件。本发明还涉及一种使用化学传感器检测物质的方法以及一种用于构造基材以便于通过化学传感器进行化学检测的方法。

公开(公告)号：CN103262210B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201180043744.6

申请日：2011-03-21

Applicant: 维尔雷思科技有限公司

Inventor： 阿杰库玛·R·贾殷

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L51/5036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造含有功能元件的光电装置的方法，所述功能元件是由从天然和/或制得的层状半导体施主脱离的层制成的。在一个实施例中，提供施主，使一层与施主分离且将该层作为其功能元件并入光电装置中。根据需要调整分离层的厚度，以使其适合所述功能元件的功能性。可以使用分离层制成的功能元件的实例包括p‑n结、肖特基结、PIN结、约束层及其他。可以供所述分离层并入的光电装置的实例包括LED、激光二极管、MOSFET晶体管、MISFET晶体管及其他。

公开(公告)号：CN103887364B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310706762.9

申请日：2013-12-20

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 吴宗鑫 ,  吴世雄 ,  张佳文 ,  许弘儒

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供了一种太阳电池吸收层的制备方法及其热处理设备，该制备方法及其热处理设备适用于在一基板上形成一吸收层。首先，使位于一腔体内的一固体蒸气源与基材上的一吸收层前驱物保持一预定距离。固体蒸气源包含锡。吸收层前驱物包含铜、锌、锡及硫。将腔体内的温度升温至一第二温度，使吸收层前驱物在基材上形成一吸收层。

公开(公告)号：CN106460162A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026122.0

申请日：2015-04-30

Applicant: 贺利氏德国有限责任两合公司

Inventor： M·舒尔塞斯 ,  C·西蒙斯

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C18/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5866 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及包含CuZnSn材料、CuZn材料或CuSn材料的三维溅射靶。示例性的CuZnSn材料具有40原子％至60原子％的Cu含量，20原子％至30原子％的Zn含量，和20原子％至30原子％的Sn含量，其中所述三维溅射靶具有至少一个大于500毫米的主轴维度且所述CuZnSn材料具有0.005毫米至5毫米的晶粒尺寸。本发明还提出制造所述三维溅射靶的方法。