公开(公告)号：CN115440708A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210962972.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  刘醇鸿 ,  刘家宏 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种组件管芯，其包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、抗电弧层以及第一绝缘包封体。第二半导体管芯堆栈在第一半导体管芯上并且与第一半导体管芯电性连接。抗电弧层与第二半导体管芯接触。第一绝缘包封体设置在第一半导体管芯上且侧向地包封第二半导体管芯。此外，提供一种组件管芯的制造方法。

公开(公告)号：CN105870247B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510025695.3

申请日：2015-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  B05C3/02 ,  B05C11/10 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了用于在吸收件上沉积碱金属层以在吸收件的表面处生成贫铜区的系统和方法。贫铜区提供了比具有富铜表面的非处理的吸收件的增大的效率。例如，可以通过任何合适的沉积方法来沉积碱金属层，诸如湿沉积法。在沉积碱金属层之后，对吸收件进行退火，使碱金属层与吸收件相互作用以降低位于碱金属层和吸收件之间的界面处的吸收件的铜分布。本发明涉及吸收件表面改进。

公开(公告)号：CN104037247B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310231580.0

申请日：2013-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明描述了具有改善的透射率的透明导电层的太阳能电池。太阳能电池可以包括：含有设置在衬底上方的吸收层的太阳能电池子结构，以及设置在子结构上方的透明导电氧化物（TCO）层。TCO层可以包括其中的TCO膜和多个间隔开的高透射率结构。TCO层可以具有比可比较的同质TCO膜更高的可吸收辐射的透射率。高透射率结构可以是选自由穿孔、高透射比颗粒以及它们的组合所组成的组。本文还描述了制造具有改善的透射率的透明导电层的太阳能电池的方法。

公开(公告)号：CN113192897A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110110459.7

申请日：2021-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  谢潍冈 ,  陈世伟 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体器件包括：管芯；包封体，位于管芯的前侧表面之上；重布线结构，位于包封体上；热模块，耦合到管芯的后侧表面；以及螺栓，延伸穿过重布线结构及热模块。管芯包括被倒角的隅角。螺栓与被倒角的隅角相邻。

公开(公告)号：CN104916719B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201410213767.2

申请日：2014-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03923 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供了一种圆柱形太阳能电池模块以及该模块的制造方法。太阳能电池模块包括：圆柱形衬底、环绕衬底的背接触层、环绕背接触层的吸收层、环绕吸收层的缓冲层、环绕衬底的前接触层，从而形成太阳能电池模块；以及包围太阳能电池模块的共形聚合物层。

公开(公告)号：CN104851939B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410268834.0

申请日：2014-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明描述了一种太阳能电池器件及其制造方法。通过如下方法制造该太阳能电池：在衬底的前侧上形成后接触层，在后接触层上形成吸收层，在衬底的后侧上施加保护层，在吸收层上沉积缓冲层。在衬底后侧上沉积了过量的缓冲材料，以及去除具有过量的缓冲材料的保护层。

公开(公告)号：CN104916734B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201410222156.4

申请日：2014-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022466 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种形成CIGS吸收件的方法，其中，选择至少一种源微粒并将其制备为粉末或凝胶；在衬底上沉积该粉末或凝胶，压缩该粉末或凝胶，并对该粉末或凝胶退火。在一些实施例中，将多种源微粒制备为粉末，并在沉积、压缩、退火粉末之前混合粉末。在其他实施例中，将多种源微粒独立地沉积为层，共同地压缩这些层，并对这些层共同地退火。在又一些实施例中，将多种源微粒独立地沉积为层，对这些层独立地压缩，并对这些层共同地退火。

公开(公告)号：CN105870246B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510025691.5

申请日：2015-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明总体上公开了在制造CIGS太阳能电池期间修复CIGS表面的氧化的方法和系统。吸收件的氧化降低CIGS表面的光致发光强度。将吸收件浸没在其中具有还原剂的还原槽中。还原剂逆转CIGS吸收件的氧化，从而增强界面质量和相应的光致发光强度。在逆转氧化之后，在CIGS吸收件上沉积缓冲层来防止进一步的表面氧化。本发明涉及通过溶液工艺修复吸收件表面的方法。

公开(公告)号：CN104233194B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310370283.4

申请日：2013-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴忠宪 ,  江济宇 ,  陈世伟 ,  严文材

IPC: C23C14/24

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供了一种蒸发装置和方法，包括被配置成其中包括至少一个待涂覆的衬底和与蒸发源相连接的至少一个散布喷嘴的腔室。该腔室具有限定可调的孔的至少一个可调屏蔽件。该屏蔽件设置在散布喷嘴和衬底所在位置之间。孔在由面积、形状和方向所构成的组中的至少一个方面上是可调的。至少一个可调屏蔽件具有加热器。

公开(公告)号：CN111192858A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910232291.X

申请日：2019-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  陈志华 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  庄立朴 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。