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公开(公告)号：CN118919504A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410997076.X
申请日：2024-07-24
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/29
Abstract: 本发明涉及一种采用相变材料灌封的车用功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该模块包括外壳、集成散热器基板、覆铜板、开关单元、功率端子和信号端子。模块采用三相半桥结构，每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上，三相覆铜板之间无电气连接。相变材料灌封在覆铜板和开关单元顶部，用于短时间内吸收和存储大量的热量，提高功率模块的短时过流能力和使用寿命。确保选择的相变材料在相变前后均为绝缘体，具有高介电强度、高闪点和燃点、无毒性和无腐蚀性。本发明有益效果包括提高短时过流能力，延长使用寿命，优化热管理性能，提高电气安全性，增强模块的可靠性，简化设计和制造过程，适应性强，适用于新能源汽车领域。
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公开(公告)号：CN113960357B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111254906.2
申请日：2021-10-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及一种多级微带传输线的高带宽差分电压探头，属于电子器件领域。本发明建立了宽频范围适用的分压电路模型，分析了分压器尺寸对探头带宽的影响规律，并给出了一种最大化探头带宽的回路补偿方法。实验结果表明：多层陶瓷电容的等效串联电感，以及PCB平面耦合的传输线效应，是制约差分电压探头带宽的瓶颈问题，采用基于平行板传输线的高带宽分压结构、优化承压臂长度、高频回路补偿等新结构和新方法，可以突破差分探头的带宽极限到500MHz，为一种多级微带传输线的高带宽差分电压探头和宽禁带器件的设计研发、测试表征、标准制定，提供有益的参考。
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公开(公告)号：CN117976640A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410105312.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M7/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种带有散热器的车用碳化硅模块，属于电子器件领域。本发明采用铜框架作为碳化硅芯片顶部互联方式，将多个导电区连接为一个半桥结构。栅极和开尔文源级连采用铝线键合的方式连接。铜框架为分离式，两颗碳化硅芯片共用一个铜框架，无传统铝键合线的汇流问题。本发明基板采用整合针翅的水冷散热器，降低模块结壳热阻，提高模块散热效率。
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公开(公告)号：CN115987121A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310019032.5
申请日：2023-01-06
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请涉及一种功率模块及其制备方法，该功率模块包括：印刷电路板；逆变电路，与印刷电路板电性连接，用于将外界输入的直流电信号转换为交流电信号，包括：第一逆变电路，设置于印刷电路板沿第一方向的一侧；第二逆变电路，设置于印刷电路板沿第一方向的另一侧；其中，第一逆变电路与第二逆变电路并联且对称设置，以降低功率模块的寄生电感。通过上述的方式，功率模块能够降低走线的寄生电感，从而避免逆变电路工作时产生较大的电压过冲和电磁干扰。
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公开(公告)号：CN109975352B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910312817.5
申请日：2019-04-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开基于热阻的缺陷检测装置，包括被测工件，显示器，热探头、散热器基座、散热器、处理器、信号发生器、辐射测温仪以及示波器；其中，所述热探头，用于散发热量，且在所述被测工件上进行移动，并将热量传输到所述被测工件；所述散热器上安装有所述散热器基座，所述散热器基座上安装有所述被测工件，所述被测工件接收的热量通过所述散热器散发到外部空间；所述辐射测温仪，用于对所述散热器散发的热量进行温度数据采集，并将温度数据传输到所述处理器；所述处理器用于对所述被测工件的热阻进行计算，并将计算结果传输到所述显示器以显示热阻分布图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531702B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201611158120.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/72
Abstract: 本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造，至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构，元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联，极大的降低了模块设计的难度；芯片不需要焊接以及键合线，使用金属卡子作为电流的传导介质，可以有效降低回路的寄生参数；3D立体布局可以有效降低模块的体积，提高功率密度；元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中，散热难的问题，立体布局有利于模块的散热。
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公开(公告)号：CN105305430B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510751313.5
申请日：2015-11-06
Applicant: 重庆大学 , 国家电网公司 , 许继集团有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供的基于分层控制的光储发电系统电能质量提升方法，包括a.构建光储联合发电系统，所述光储联合发电系统包括在分布式光伏发电系统的直流侧设置混合储能单元；b.通过所述光储联合发电系统的功率调度控制和本地功率控制对电能质量进行主动治理；本发明中的分布式光储联合发电系统能有效平抑光伏输出功率的波动，增强光储联合发电系统的可调度性；基于自适应迭代的谐波电流检测算法能有效检测本地负荷的谐波分量，为分布式光储联合发电系统的电能质量就地补偿提供保障；本发明为高渗透率光伏发电系统的运行与控制提供了一条种新的方法，可以有效的提升电网的电能质量，为电网的安全稳定运行提供有力的保障。
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公开(公告)号：CN106936297A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710341561.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/08
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/08 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开了一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路，该驱动电路包括用于提供一主脉冲信号和至少一个开关控制脉冲信号的脉冲信号发生器，用于接收主脉冲信号，并对主脉冲信号进行放大处理后发送至SiC MOSFET以驱动SiC MOSFET动作的放大电路，以及用于接收开关控制脉冲信号，并根据开关控制脉冲信号调节SiC MOSFET的栅极的驱动电阻的输出调节电路。该发明通过利用经过隔离后的开关控制脉冲信号调节各晶体管调节单元的各晶体管的开通时间，使不同晶体管调节单元的晶体管的导通支路的电阻切换，实现开关过程的不同阶段SiC MOSFET的栅极电阻阻值可调节的目的。
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公开(公告)号：CN105932016A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610407686.5
申请日：2016-06-12
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L25/04 , H01L25/07 , H01L23/528
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L25/04 , H01L23/528 , H01L25/072
Abstract: 本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块，包括陶瓷覆铜板和功率芯片，所述功率芯片数量为多个，每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上，陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置；本发明通过圆形的物理对称结构实现电气参数的对称，通过最优化的布局设计确保多芯片并联的功率模块每个支路寄生参数的最小化并且分布基本一致，有助于解决多芯片并联模块的电流分布不均问题。本发明提及的多芯片模块设计方法能够更好的实现功率模块的动态均流和静态均流，提升功率模块的容量利用率，并且通过减小寄生电感的副作用，适应快速开关过程和高频电力电子变换器。
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公开(公告)号：CN105790583A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139323.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M3/1584 , H02M1/14 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。
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