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公开(公告)号：CN106783991A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710088554.5
申请日：2017-02-20
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395
Abstract: 本发明公开了一种快速绝缘栅双极型晶体管；所述快速绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构，在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；并且，所述阳极辅助栅结构采用自驱动设计，能够消除常规辅助栅极阳极结构对额外驱动电路的要求。
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公开(公告)号：CN106941115B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710091494.2
申请日：2017-02-20
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/45 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件可以采用现有常规集成电路制造工艺步骤实现，并且这种器件设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
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公开(公告)号：CN105720601A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610037114.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供的一种用于电网同步的基于隐式PI的数字锁相环系统，包括鉴相器、环路滤波器以及压控振荡器，其中：所述鉴相器为：所述环路滤波器为：(2)；所述压控振荡器为：θ＝∫ωdt(3)；其中，kp和ki为控制系数，和Δω分别为估计的和真实的角频率偏差，不仅能够适用于信号的小扰动后的静态稳定分析，而且能够适用于信号的大扰动后的暂态稳定分析，能有效应对电网电压相角、频率的扰动，能够精确控制并网逆变器以及并网逆变器的灵活运行，确保电力系统的安全与稳定。
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公开(公告)号：CN105207507A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510581134.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/483
Abstract: 本发明提供的降低电容体积的MMC子模块，至少包括电容单元和与所述电容单元连接的开关单元，所述电容单元包括主电容和从电容，所述开关单元包括分别与主电容和从电容串联连接并用于控制改变主电容和从电容的串并联结构的开关，通过控制开关使主电容产生电压波动，并通过从电容对主电容的电压波动进行补偿；本发明利用金属薄膜电容能流过较大的纹波电流的特性，通过控制算法使得在电容上产生较大的电压波动，在保证MMC子模块电压纹波的情况下，提高了电容的能量利用效率，实现了比传统的MMC子模块更高的能量密度，减小了MMC子模块中电容的体积及质量，从而减小了MMC子模块和换流器的体积。
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公开(公告)号：CN106936297A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710341561.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/08
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/08 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开了一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路，该驱动电路包括用于提供一主脉冲信号和至少一个开关控制脉冲信号的脉冲信号发生器，用于接收主脉冲信号，并对主脉冲信号进行放大处理后发送至SiC MOSFET以驱动SiC MOSFET动作的放大电路，以及用于接收开关控制脉冲信号，并根据开关控制脉冲信号调节SiC MOSFET的栅极的驱动电阻的输出调节电路。该发明通过利用经过隔离后的开关控制脉冲信号调节各晶体管调节单元的各晶体管的开通时间，使不同晶体管调节单元的晶体管的导通支路的电阻切换，实现开关过程的不同阶段SiC MOSFET的栅极电阻阻值可调节的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105932016A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610407686.5
申请日：2016-06-12
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L25/04 , H01L25/07 , H01L23/528
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L25/04 , H01L23/528 , H01L25/072
Abstract: 本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块，包括陶瓷覆铜板和功率芯片，所述功率芯片数量为多个，每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上，陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置；本发明通过圆形的物理对称结构实现电气参数的对称，通过最优化的布局设计确保多芯片并联的功率模块每个支路寄生参数的最小化并且分布基本一致，有助于解决多芯片并联模块的电流分布不均问题。本发明提及的多芯片模块设计方法能够更好的实现功率模块的动态均流和静态均流，提升功率模块的容量利用率，并且通过减小寄生电感的副作用，适应快速开关过程和高频电力电子变换器。
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公开(公告)号：CN105790583A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139323.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M3/1584 , H02M1/14 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。
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公开(公告)号：CN105790583B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610139323.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: Y02B70/1483
Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。
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公开(公告)号：CN105207507B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510581134.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/483
Abstract: 本发明提供的降低电容体积的MMC子模块，至少包括电容单元和与所述电容单元连接的开关单元，所述电容单元包括主电容和从电容，所述开关单元包括分别与主电容和从电容串联连接并用于控制改变主电容和从电容的串并联结构的开关，通过控制开关使主电容产生电压波动，并通过从电容对主电容的电压波动进行补偿；本发明利用金属薄膜电容能流过较大的纹波电流的特性，通过控制算法使得在电容上产生较大的电压波动，在保证MMC子模块电压纹波的情况下，提高了电容的能量利用效率，实现了比传统的MMC子模块更高的能量密度，减小了MMC子模块中电容的体积及质量，从而减小了MMC子模块和换流器的体积。
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公开(公告)号：CN106531702A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611158120.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/72 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造，至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构，元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联，极大的降低了模块设计的难度；芯片不需要焊接以及键合线，使用金属卡子作为电流的传导介质，可以有效降低回路的寄生参数；3D立体布局可以有效降低模块的体积，提高功率密度；元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中，散热难的问题，立体布局有利于模块的散热。
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