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公开(公告)号：CN113360960A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110795005.8
申请日：2021-07-14
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明请求保护一种计及空间电荷的换流变数字孪生模型构建方法。首先根据变压器运行工况确定传感装置的分布位置，通过逐步消去法修正传感体系，得到换流变传感网络；采用BIM技术构建换流变几何维度模型，利用倾斜摄影测量技术得到换流变全景模型；将传感数据对换流变模型进行映射。采用肖特基注入作为自由粒子的唯一来源，基于对空间电荷的推导，得到微观粒子下电‑热‑力多场耦合计算模型。最后，基于API分离出BIM模型所包含的信息，将几何信息储存到JSON文件模型区，将材料和属性信息储存到JSON文件信息区；设置统一标识符关联实景模型和多物理场模型，通过相互调用关键信息，实现两种模型的融合，最终得到完整的换流变孪生模型。
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公开(公告)号：CN109975352A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910312817.5
申请日：2019-04-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开基于热阻的缺陷检测装置，包括被测工件，显示器，热探头、散热器基座、散热器、处理器、信号发生器、辐射测温仪以及示波器；其中，所述热探头，用于散发热量，且在所述被测工件上进行移动，并将热量传输到所述被测工件；所述散热器上安装有所述散热器基座，所述散热器基座上安装有所述被测工件，所述被测工件接收的热量通过所述散热器散发到外部空间；所述辐射测温仪，用于对所述散热器散发的热量进行温度数据采集，并将温度数据传输到所述处理器；所述处理器用于对所述被测工件的热阻进行计算，并将计算结果传输到所述显示器以显示热阻分布图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113360960B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110795005.8
申请日：2021-07-14
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明请求保护一种计及空间电荷的换流变数字孪生模型构建方法。首先根据变压器运行工况确定传感装置的分布位置，通过逐步消去法修正传感体系，得到换流变传感网络；采用BIM技术构建换流变几何维度模型，利用倾斜摄影测量技术得到换流变全景模型；将传感数据对换流变模型进行映射。采用肖特基注入作为自由粒子的唯一来源，基于对空间电荷的推导，得到微观粒子下电‑热‑力多场耦合计算模型。最后，基于API分离出BIM模型所包含的信息，将几何信息储存到JSON文件模型区，将材料和属性信息储存到JSON文件信息区；设置统一标识符关联实景模型和多物理场模型，通过相互调用关键信息，实现两种模型的融合，最终得到完整的换流变孪生模型。
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公开(公告)号：CN109975352B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910312817.5
申请日：2019-04-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开基于热阻的缺陷检测装置，包括被测工件，显示器，热探头、散热器基座、散热器、处理器、信号发生器、辐射测温仪以及示波器；其中，所述热探头，用于散发热量，且在所述被测工件上进行移动，并将热量传输到所述被测工件；所述散热器上安装有所述散热器基座，所述散热器基座上安装有所述被测工件，所述被测工件接收的热量通过所述散热器散发到外部空间；所述辐射测温仪，用于对所述散热器散发的热量进行温度数据采集，并将温度数据传输到所述处理器；所述处理器用于对所述被测工件的热阻进行计算，并将计算结果传输到所述显示器以显示热阻分布图像。
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公开(公告)号：CN210092064U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920363183.1
申请日：2019-03-21
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种立式结构的功率模块，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第一散热块、第二散热块、第三散热块、第一DBC金属绝缘层、第二DBC金属绝缘层、第一散热器以及第二散热器；第一散热块、第二散热块与第三散热块间隔设置；第一芯片和第三芯片沿长度方向设置于第一散热块与第二散热块之间的间隙内，第二芯片和第四芯片沿长度方向设置于第二散热块与第三散热块之间的间隙内，第一芯片和第二芯片的位置相对应，第三芯片和第四芯片的位置相对应，第一芯片和第二芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片，第三芯片和第四芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片。通过采用立式封装、大体积散热块和多个散热器，提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN209607736U
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201920432847.5
申请日：2019-04-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本实用新型公开了一种插层DBC功率模块，所述插层DBC功率模块，包括第一DBC板、第二DBC板、第三DBC板、第一二极管芯片、第一功率器件芯片、第二功率器件芯片、第二二极管芯片、芯片焊料层、下半桥栅极输入端子、上半桥栅极输入端子、半桥电路负极端子以及半桥电路正极端子；第一DBC板、第二DBC板和第三DBC板均包括第一金属层、陶瓷层以及第二金属层；第二DBC板陶瓷层设置有多个沿高度方向的通孔，所述通孔填充有金属材料，所述填充的金属材料用于连接第一功率器件芯片的源极和第二二极管芯片的负极，以及连接二功率器件芯片的漏极和第一二极管芯片的正极。
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公开(公告)号：CN209471963U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920526152.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/492
Abstract: 本实用新型公开了一种具有新型栅极连接结构的功率模块。所述功率模块包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构材质由导电材质制成；所述功率模块将功率电路和栅极控制电路完全分开，减少了功率电路和栅极控制电路间的相互影响。
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