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公开(公告)号：CN106936297A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710341561.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/08
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/08 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开了一种自适应调节驱动电阻的SiC MOSFET驱动电路，该驱动电路包括用于提供一主脉冲信号和至少一个开关控制脉冲信号的脉冲信号发生器，用于接收主脉冲信号，并对主脉冲信号进行放大处理后发送至SiC MOSFET以驱动SiC MOSFET动作的放大电路，以及用于接收开关控制脉冲信号，并根据开关控制脉冲信号调节SiC MOSFET的栅极的驱动电阻的输出调节电路。该发明通过利用经过隔离后的开关控制脉冲信号调节各晶体管调节单元的各晶体管的开通时间，使不同晶体管调节单元的晶体管的导通支路的电阻切换，实现开关过程的不同阶段SiC MOSFET的栅极电阻阻值可调节的目的。
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公开(公告)号：CN108806021A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810601953.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: G07C5/0808 , G06Q10/04 , G07C5/0841 , G08G1/0129
Abstract: 本发明涉及一种基于物理模型和道路特征参数的电动汽车目标路段能耗预测方法，属于电动汽车技术领域，该方法包含如下步骤：S1：记录电动汽车正常行驶过程中的历史行驶状态参数；S2：对电动汽车的能耗因子进行物理建模，获得车辆瞬时能耗的物理模型；S3：选取任意目标路段，获取目标路段的道路信息，基于道路信息对每一个片段提取道路特征参数；S4：基于历史行驶状态参数，对片段的道路特征参数进行C均值模糊聚类，对离散化的速度区间构建马尔可夫概率转移矩阵；S5：根据概率转移矩阵，利用物理模型估计各个行驶工况块的能耗。本发明方法综合考虑固定道路信息和实时交通状况，实现对任意目标路段进行能耗预测的目的。
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公开(公告)号：CN108806021B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810601953.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于物理模型和道路特征参数的电动汽车目标路段能耗预测方法，属于电动汽车技术领域，该方法包含如下步骤：S1：记录电动汽车正常行驶过程中的历史行驶状态参数；S2：对电动汽车的能耗因子进行物理建模，获得车辆瞬时能耗的物理模型；S3：选取任意目标路段，获取目标路段的道路信息，基于道路信息对每一个片段提取道路特征参数；S4：基于历史行驶状态参数，对片段的道路特征参数进行C均值模糊聚类，对离散化的速度区间构建马尔可夫概率转移矩阵；S5：根据概率转移矩阵，利用物理模型估计各个行驶工况块的能耗。本发明方法综合考虑固定道路信息和实时交通状况，实现对任意目标路段进行能耗预测的目的。
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公开(公告)号：CN108768367A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810581095.9
申请日：2018-06-07
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/74 , H03K17/0416 , H03K17/0814 , H03K17/284
CPC classification number: H03K17/687 , H03K17/04163 , H03K17/08142 , H03K17/284 , H03K17/74
Abstract: 本发明提供的一种基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源VCC；所述开通电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，用于向SiC MOSFET的栅极输入驱动电压信号；关断电路，其输出端与直流电压源VCC的输出端连接，输入端与SiC MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC MOSFET进行关断；栅极升压电路，其输入端与直流电压源VCC的输出端连接，其输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于向SiC MOSFET输出延时电压信号并与驱动电压叠加并驱动SiC MOSFET导通；通过上述结构，能够有效降低SiC MOSFET的开通过冲电流，从而确保SiC MOSFET的开关速度的同时，并且能够有效提升SiC MOSFET的开关频率，并且还能够有效降低开关损耗。
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