公开(公告)号：CN117913044A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410098930.9

申请日：2024-01-24

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  王思媛 ,  邹铭锐 ,  梁钰茜 ,  孙鹏 ,  牛富丽 ,  龚佳坤

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L23/552 ,  H02M1/00 ,  H02M1/44

Abstract: 本发明涉及一种基于3D封装的碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该功率模块主要包括上层DBC、上层碳化硅MOSFET芯片、上层碳化硅MOSFET芯片焊料层、PCB板、下层碳化硅MOSFET芯片、下层碳化硅MOSFET芯片焊料层、下层DBC。其中上层芯片焊接至上层DBC；上层DBC通过上层底板连接层与上层散热底板固定；下层芯片焊接至下层DBC；下层DBC通过下层底板连接层与下层散热底板固定。该功率模块使用双面散热，散热器压接在功率模块两侧，以缓解芯片热耦合导致的结温过高，从而避免功率模块损坏的问题。

公开(公告)号：CN117976640A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410105312.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  孙鹏 ,  梁钰茜 ,  牛富丽 ,  胥执舟 ,  邹铭锐 ,  龚佳坤

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及一种带有散热器的车用碳化硅模块，属于电子器件领域。本发明采用铜框架作为碳化硅芯片顶部互联方式，将多个导电区连接为一个半桥结构。栅极和开尔文源级连采用铝线键合的方式连接。铜框架为分离式，两颗碳化硅芯片共用一个铜框架，无传统铝键合线的汇流问题。本发明基板采用整合针翅的水冷散热器，降低模块结壳热阻，提高模块散热效率。

公开(公告)号：CN117937899A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410105313.7

申请日：2024-01-25

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  孙鹏 ,  郑华阳 ,  邹铭锐 ,  牛富丽 ,  梁钰茜 ,  龚佳坤 ,  韩绪冬

IPC: H02M1/00 ,  H05K5/06 ,  H05K7/14 ,  H02M1/34

Abstract: 本发明涉及一种集成缓冲吸收电路的功率模块，属于电子器件领域。包括：封装壳体、功率模块主体以及缓冲吸收电路；功率模块主体包括DBC基板组件、端子、键合线、上桥臂MOSFET组和下桥臂MOSFET组；缓冲吸收电路包括二极管和可键合硅片阻容芯片，二者串联起来，通过键合线连接于上下桥臂MOSFET组的漏极DBC金属层与栅极金属层之间，上下桥臂的两个芯片均匀的分布在缓冲吸收电路的两端。本发明还公开了一种内置缓冲吸收电路的功率模块的制作方法。所述内置缓冲吸收电路的功率模块及其制作方法有效解决了现有功率模块在大电流工作时会产生严重的电压过冲与振铃，危害MOSFET工作电压安全裕量，增加介质击穿风险的问题。

公开(公告)号：CN118759237A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410784565.7

申请日：2024-06-18

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  龚佳坤 ,  牛富丽 ,  王宇雷 ,  邹铭锐 ,  孙鹏

IPC: G01R15/22 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明涉及一种高带宽的光学隔离探头拓展坞，属于半导体器件测量与表征技术领域。该探头拓展坞用于增强传统探头隔离与共模抑制性能，其可灵活匹配传统电压、电流探头，覆盖低压无源探头、高压单端探头、差分电压探头以及同轴电阻等。拓展坞中的高带宽光发射单元接收传统探头输出电压信号并输出相应光信号；光学信号通过单模光纤传递至高带宽光接收单元将光信号转换为电信号以输入到测试仪器。高带宽光接收单元匹配调零电路，用于消除电压偏置。发射单元与接收单元均配套低噪声电源管理单元，保证供电可靠性和探头拓展坞的高信噪比。本发明具有超高带宽与可拓展特性，不损失接入的传统探头的基本性能。