公开(公告)号：CN105932016A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610407686.5

申请日：2016-06-12

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  邵伟华 ,  冉立 ,  胡博容

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/07 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/04 ,  H01L23/528 ,  H01L25/072

Abstract: 本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块，包括陶瓷覆铜板和功率芯片，所述功率芯片数量为多个，每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上，陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置；本发明通过圆形的物理对称结构实现电气参数的对称，通过最优化的布局设计确保多芯片并联的功率模块每个支路寄生参数的最小化并且分布基本一致，有助于解决多芯片并联模块的电流分布不均问题。本发明提及的多芯片模块设计方法能够更好的实现功率模块的动态均流和静态均流，提升功率模块的容量利用率，并且通过减小寄生电感的副作用，适应快速开关过程和高频电力电子变换器。

公开(公告)号：CN105790583A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610139323.8

申请日：2016-03-11

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  邵伟华 ,  胡博容 ,  廖兴林 ,  李辉 ,  冉立

IPC: H02M3/158 ,  H02M1/14

CPC classification number: Y02B70/1483 ,  H02M3/1584 ,  H02M1/14 ,  H02M2001/0054

Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。

公开(公告)号：CN105790583B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201610139323.8

申请日：2016-03-11

Applicant: 重庆大学

Inventor： 曾正 ,  邵伟华 ,  胡博容 ,  廖兴林 ,  李辉 ,  冉立

IPC: H02M3/158 ,  H02M1/14

CPC classification number: Y02B70/1483

Abstract: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。

公开(公告)号：CN106531702A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611158120.X

申请日：2016-12-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 陈昊 ,  曾正 ,  汪小莞 ,  邵伟华 ,  胡博容 ,  冉立

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L2224/72 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造，至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构，元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联，极大的降低了模块设计的难度；芯片不需要焊接以及键合线，使用金属卡子作为电流的传导介质，可以有效降低回路的寄生参数；3D立体布局可以有效降低模块的体积，提高功率密度；元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中，散热难的问题，立体布局有利于模块的散热。

公开(公告)号：CN206388694U

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201621381082.X

申请日：2016-12-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 陈昊 ,  曾正 ,  汪小莞 ,  邵伟华 ,  胡博容 ,  冉立

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/522

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体功率模块3D封装构造，至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构，元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联，极大的降低了模块设计的难度；芯片不需要焊接以及键合线，使用金属卡子作为电流的传导介质，可以有效降低回路的寄生参数；3D立体布局可以有效降低模块的体积，提高功率密度；元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中，散热难的问题，立体布局有利于模块的散热。