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公开(公告)号：CN113014208A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110271708.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种输入端口相位翻转保护电路，包括电阻R5、电流源Iss、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9；三极管Q5的集电极连接负电源，三极管Q5的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接Q6的集电极、三极管Q7的基极和三极管Q7的发射极，电阻R5的一端连接电流源Iss的一端，电流源Iss的另一端连接正电源；三极管Q7的集电极分别连接三极管Q8的基极和三极管Q9的基极，三极管Q8的集电极和三极管Q9的集电极均连接正电源；三极管Q8的发射极连接运算放大器的正向输入对管的基极，三极管Q9的发射极连接运算放大器的反向输入对管的基极。
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公开(公告)号：CN113056076B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110269532.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H05F3/00 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种相位翻转和静电加固保护电路，包括电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`、二极管D1、二极管D2、二极管D3、寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2；电阻Riny的一端与运算放大器的正向输入端口INP相连，电阻Riny的另一端分别连接电阻Rinx的一端和寄生电阻Rj1的一端，寄生电阻Rj1的另一端与二极管D1一端相连，二极管D1的另一端连接至负电源；电阻Rinx的另一端分别连接电阻Rin`的一端和寄生电阻Rj2的一端，寄生电阻Rj2的另一端连接二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至负电源；电阻Rin`的另一端分别连接二极管D3的一端和运算放大器中的输入对管基极相连，二极管D3的另一端连接正电源，同时具有静电加固功能和相位翻转保护功能。
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公开(公告)号：CN111276956B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010093566.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路，包括二极管D1、二极管D2和二极管D3；二极管D1的正极与运放外部输入端PAD连接，二极管D1的负极与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与负电源VS‑连接；二极管D3的正极与运放内部输入端VIN连接，负极与正电源VS+相连。本发明在满足抗静电能力的条件下实现多数轨对轨运放要求的抗相位翻转功能，解决了传统抗静电结构将输入端电压与正负电源电压钳位在二极管导通压降的问题。
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公开(公告)号：CN108598077B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810344999.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向双极型比较器的静电保护电路，INP是比较器正向输入端，INN是比较器负向输入端，AVDD是正电源，AGND接地。比较器输入级电路由中的NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1和负载电阻R2、尾电流源组成；NPN型双极晶体管Q3和NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6、二极管D1和二极管D2组成了抗静电保护结构。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。
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公开(公告)号：CN111276956A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010093566.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路，包括二极管D1、二极管D2和二极管D3；二极管D1的正极与运放外部输入端PAD连接，二极管D1的负极与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与负电源VS-连接；二极管D3的正极与运放内部输入端VIN连接，负极与正电源VS+相连。本发明在满足抗静电能力的条件下实现多数轨对轨运放要求的抗相位翻转功能，解决了传统抗静电结构将输入端电压与正负电源电压钳位在二极管导通压降的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108598077A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810344999.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向双极型比较器的通用静电保护电路，INP是比较器正向输入端，INN是比较器负向输入端，AVDD是正电源，AGND接地。比较器输入级电路由中的NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1和负载电阻R2、尾电流源IP组成；NPN型双极晶体管Q3和NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6、二极管D1和二极管D2组成了抗静电保护结构。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。
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公开(公告)号：CN110048675B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201910370715.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/30
Abstract: 本发明公开了一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，在晶体管QB3和晶体管QB4的发射极加入两种不同类型的电阻，可减小在高电源电压下由于PNP型晶体管有限的厄力电压导致的电流源无法被准确镜像的缺陷，从而确保流入输入NPN管和PNP管的电流源大小一致。本发明可保证在不同电源电压下输入PNP对晶体管Q1和晶体管Q2的输入偏置电流几乎不随共模电压的变化而变化，即在不同电源下，输入偏置电流随共模电压的变化曲线可表现的更为平坦；本发明采用温漂系数相反的基区电阻RB1和多晶硅电阻RB2，可形成温度补偿，使输入PNP对管的基极电流随温度变化范围更大，与NPN管的基极电流随温度变化范围相当，二者相加后，在整个温度范围内输入偏置电流的温漂特性得到优化。
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公开(公告)号：CN107769757B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201710936921.2
申请日：2017-10-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
Inventor： 肖筱
Abstract: 本发明公开了一种比较器抗静电电路及其工作方法，包括双极晶体管Q1、双极晶体管Q2、电阻R1、电阻R2和尾电流源IP，所述尾电流源IP与接地AGND连接，所述双极晶体管Q1和双极晶体管Q2经过抗静电保护电路分别与电源电压AVDD、尾电流源IP、比较器正向端输入信号INP和比较器反向端输入信号INN连接。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。
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公开(公告)号：CN107861554A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711014546.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Inventor： 肖筱
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明一种基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法，确保较低电源供电时，不影响带隙基准电路的正常工作，应用于较宽电源范围。电路包括连接的带隙基准电路和启动电路；启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成。该启动方法，齐纳二极管D1的击穿电压BV与三极管Q1、Q4和Q16的BE结电压之差在电阻R2和R3上可以产生与电源电压无关的具有一定温度系数的电流，该电路通过R6、Q6管和Q7管产生与此电流成相反温度系数的补偿电流，两股电流流经Q13管后形成了最终的具有温度补偿特性的基准电流，通过Q14管的镜像作用从Q15管的集电极流出，提供给其他电路模块使用。
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公开(公告)号：CN107769757A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710936921.2
申请日：2017-10-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
Inventor： 肖筱
Abstract: 本发明公开了一种比较器抗静电电路及其工作方法，包括双极晶体管Q1、双极晶体管Q2、电阻R1、电阻R2和尾电流源IP，所述尾电流源IP与接地AGND连接，所述双极晶体管Q1和双极晶体管Q2经过抗静电保护电路分别与电源电压AVDD、尾电流源IP、比较器正向端输入信号INP和比较器反向端输入信号INN连接。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。
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