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公开(公告)号：CN113014208A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110271708.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种输入端口相位翻转保护电路，包括电阻R5、电流源Iss、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9；三极管Q5的集电极连接负电源，三极管Q5的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接Q6的集电极、三极管Q7的基极和三极管Q7的发射极，电阻R5的一端连接电流源Iss的一端，电流源Iss的另一端连接正电源；三极管Q7的集电极分别连接三极管Q8的基极和三极管Q9的基极，三极管Q8的集电极和三极管Q9的集电极均连接正电源；三极管Q8的发射极连接运算放大器的正向输入对管的基极，三极管Q9的发射极连接运算放大器的反向输入对管的基极。
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公开(公告)号：CN113014208B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110271708.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种输入端口相位翻转保护电路，包括电阻R5、电流源Iss、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9；三极管Q5的集电极连接负电源，三极管Q5的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接Q6的集电极、三极管Q7的基极和三极管Q7的发射极，电阻R5的一端连接电流源Iss的一端，电流源Iss的另一端连接正电源；三极管Q7的集电极分别连接三极管Q8的基极和三极管Q9的基极，三极管Q8的集电极和三极管Q9的集电极均连接正电源；三极管Q8的发射极连接运算放大器的正向输入对管的基极，三极管Q9的发射极连接运算放大器的反向输入对管的基极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113056076A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110269532.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H05F3/00 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种相位翻转和静电加固保护电路，包括电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`、二极管D1、二极管D2、二极管D3、寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2；电阻Riny的一端与运算放大器的正向输入端口INP相连，电阻Riny的另一端分别连接电阻Rinx的一端和寄生电阻Rj1的一端，寄生电阻Rj1的另一端与二极管D1一端相连，二极管D1的另一端连接至负电源；电阻Rinx的另一端分别连接电阻Rin`的一端和寄生电阻Rj2的一端，寄生电阻Rj2的另一端连接二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至负电源；电阻Rin`的另一端分别连接二极管D3的一端和运算放大器中的输入对管基极相连，二极管D3的另一端连接正电源，同时具有静电加固功能和相位翻转保护功能。
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公开(公告)号：CN113056076B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110269532.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H05F3/00 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种相位翻转和静电加固保护电路，包括电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`、二极管D1、二极管D2、二极管D3、寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2；电阻Riny的一端与运算放大器的正向输入端口INP相连，电阻Riny的另一端分别连接电阻Rinx的一端和寄生电阻Rj1的一端，寄生电阻Rj1的另一端与二极管D1一端相连，二极管D1的另一端连接至负电源；电阻Rinx的另一端分别连接电阻Rin`的一端和寄生电阻Rj2的一端，寄生电阻Rj2的另一端连接二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至负电源；电阻Rin`的另一端分别连接二极管D3的一端和运算放大器中的输入对管基极相连，二极管D3的另一端连接正电源，同时具有静电加固功能和相位翻转保护功能。
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公开(公告)号：CN111276956B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010093566.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路，包括二极管D1、二极管D2和二极管D3；二极管D1的正极与运放外部输入端PAD连接，二极管D1的负极与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与负电源VS‑连接；二极管D3的正极与运放内部输入端VIN连接，负极与正电源VS+相连。本发明在满足抗静电能力的条件下实现多数轨对轨运放要求的抗相位翻转功能，解决了传统抗静电结构将输入端电压与正负电源电压钳位在二极管导通压降的问题。
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公开(公告)号：CN111276956A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010093566.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供双极型轨对轨运放输入端通用静电保护电路，包括二极管D1、二极管D2和二极管D3；二极管D1的正极与运放外部输入端PAD连接，二极管D1的负极与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与负电源VS-连接；二极管D3的正极与运放内部输入端VIN连接，负极与正电源VS+相连。本发明在满足抗静电能力的条件下实现多数轨对轨运放要求的抗相位翻转功能，解决了传统抗静电结构将输入端电压与正负电源电压钳位在二极管导通压降的问题。
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公开(公告)号：CN206058021U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621093343.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种抗辐照二阶补偿高精度、低温漂带隙基准电压源电路，包括放大电路和数字修调网络R1；数字修调网络R1包括多个串联连接的多晶硅电阻，每个多晶硅电阻两端均通过一个反向二极管后并联有多晶硅电阻，通过在焊盘之间加入一定电压，使反向二极管反向击穿，使得串联的多晶硅电阻与其并联连接的多晶硅电阻导通，使数字修调网络R1的总值变小，基准VREF的值降低，实现对基准VREF的值的调整；用数字修调方式代替薄膜电阻的在线修调可以大大节约测试成本，用多晶硅电阻的负温度系数特性来抵消VBE的二次项可以避免Rb(+TC)设计误差带来的反复流片，降低了流片成本，降低了工程实现难度。
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