公开(公告)号：CN113990808A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111258550.X

申请日：2021-10-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 岳永豪 ,  郑晓琼 ,  梅志鹏 ,  李宝霞

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明提供一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法，能够实现切割胶带与晶圆切割道结构牢固贴附，改善晶圆切割质量，提高Die成品率。一种双面布线晶圆切割道结构，包括多片Die，Die下表面的RDL布线层与切割道区域之间的厚度差形成U型切割道；所述U型切割道的中间设置一道横梁。一种双面布线晶圆切割道结构制备方法，包括以下步骤：对晶圆上表面进行临时键合，并对形成的临时键合晶圆下表面减薄加工；在减薄的临时键合晶圆下表面依次进行介质层制备、TSV铜柱露铜和RDL布线层制备；在RDL布线层表面制备绝缘层，并在U型切割道的中间制备所述横梁，完成包含所述横梁的晶圆切割道结构的制备。

公开(公告)号：CN114497019A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210082490.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  张宁 ,  唐磊 ,  刘建军 ,  何亨洋 ,  武忙虎 ,  梅志鹏 ,  雷靖 ,  吴玮 ,  严秋成 ,  胡佳伟 ,  刘峥 ,  潘鹏辉

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种多芯片立体集成结构及制作方法，包括：若干个基板逐层堆叠，形成顶层基板、中间基板和底层基板；顶层基板和中间基板、中间基板和底层基板之间均通过层间凸点焊球进行相连；顶层基板、中间基板和底层基板上均键合有芯片，无源器件固定在顶层基板上；塑封料封装除底层基板下表面外的其余面。本发明通过将基板逐层堆叠，并将芯片键合在基板上，可实现不同材质、不同功能多颗芯片的三维立体集成，对于不同材质、不同工艺制备的成品芯片具有普适性，本发明通过芯片在基板进行微组装形成单层功能组件，功能组件进行测试，提前剔除不合格单层功能组件，提高集成良率。

公开(公告)号：CN118765115A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411007282.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张盼 ,  张越 ,  周煦林 ,  李宝霞 ,  梅志鹏 ,  韩加仑

IPC: H10B80/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及集成芯片技术领域，具体为一种基于TSV的异质异构立体堆叠高性能信息处理SiP模块，该模块包括IC载板，IC载板的CS面布置有DSP裸片、DDR3微模组、FLASH、时钟管理器、MCU和电平转换芯片；DDR3微模组包括垂直堆叠的IPD芯片和多层DDR3芯片，IPD芯片焊接于多层DDR3芯片的顶部，DDR3芯片采用RDL二次布线后进行3D同构堆叠；IC载板的SS面布置阵列式BGA焊球；DDR3微模组和DSP芯片通过2.5D‑TSV硅基板以倒扣焊方式进行贴装形成TSV模组。本发明通过TSV、FC、SMD、灌封的方式实现封装，解决了传统的BT IC载板无法满足高密度互连强度和细节距平整度的需求问题。

公开(公告)号：CN114496939A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210082500.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李朝 ,  李宝霞 ,  吴玮 ,  王凯 ,  张辽辽 ,  梅志鹏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种微模组塑封结构及其制造方法，微模组塑封结构包括芯片、倒装凸点、第一焊盘、第二焊盘、塑封材料、焊球和TSV结构体；第一焊盘位于TSV结构体的上表面，第二焊盘位于TSV结构体的下表面，芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在第二焊盘上植球形成焊球，塑封材料在TSV结构体上表面对芯片塑封成型。将芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在TSV结构体上表面上对芯片进行塑封成型，有效降低了在测试、拿持、转移和后续的加工中对芯片损坏的风险，同时利用传统塑封手段解决了微模组的塑封问题，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN111312656A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010139857.7

申请日：2020-03-03

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 岳永豪 ,  吴道伟 ,  刘建军 ,  牛昊 ,  梅志鹏

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，包括如下步骤，步骤1，先在TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆的图形面喷涂一层光刻胶，再将所述晶圆的中心位置遮挡后进行定向曝光，该晶圆未曝光的区域为边缘区域，最后去除该晶圆边缘区域的光刻胶；步骤2，将步骤1得到的晶圆去胶处理后浸泡在腐蚀液中，得到去除面铜，以及铜凸点或铜凸块的晶圆；步骤3，将步骤2得到的晶圆图形面的光刻胶去除，并对所得晶圆的背面进行减薄处理，完成TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理。本发明将晶圆自身的硬翘曲转变为软翘曲，从而更容易实现晶圆与抛光垫的完全接触，实现全局平坦化。

公开(公告)号：CN113990815A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111267198.6

申请日：2021-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  李朝 ,  梅志鹏 ,  吴玮 ,  张辽辽

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种硅基微模组塑封结构及其制备方法，能够兼顾优良电气性能和强韧的机械性能，充分发挥TSV硅转接基板布线密度高、同半导体芯片热匹配性好，多芯片集成密度高的优势，且成品率高，经济性好。包括TSV硅转接基板、至少一个倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片、TSV硅转接基板上表面的无源元件、包封在除TSV硅转接基板下表面外其余五个表面的塑封体；其中，倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片的背面裸露在塑封体外，多个芯片或复合芯片背面之间以及芯片或复合芯片背面与TSV硅转接基板上表面的塑封体表面均处于同一平面内，无源元件的表面低于TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片背面。

公开(公告)号：CN113410164A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663132.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 梅志鹏 ,  岳永豪 ,  张宁

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，属于半导体封装技术领域，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。