公开(公告)号：CN114496939A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210082500.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李朝 ,  李宝霞 ,  吴玮 ,  王凯 ,  张辽辽 ,  梅志鹏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种微模组塑封结构及其制造方法，微模组塑封结构包括芯片、倒装凸点、第一焊盘、第二焊盘、塑封材料、焊球和TSV结构体；第一焊盘位于TSV结构体的上表面，第二焊盘位于TSV结构体的下表面，芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在第二焊盘上植球形成焊球，塑封材料在TSV结构体上表面对芯片塑封成型。将芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在TSV结构体上表面上对芯片进行塑封成型，有效降低了在测试、拿持、转移和后续的加工中对芯片损坏的风险，同时利用传统塑封手段解决了微模组的塑封问题，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113990815A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111267198.6

申请日：2021-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  李朝 ,  梅志鹏 ,  吴玮 ,  张辽辽

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种硅基微模组塑封结构及其制备方法，能够兼顾优良电气性能和强韧的机械性能，充分发挥TSV硅转接基板布线密度高、同半导体芯片热匹配性好，多芯片集成密度高的优势，且成品率高，经济性好。包括TSV硅转接基板、至少一个倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片、TSV硅转接基板上表面的无源元件、包封在除TSV硅转接基板下表面外其余五个表面的塑封体；其中，倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片的背面裸露在塑封体外，多个芯片或复合芯片背面之间以及芯片或复合芯片背面与TSV硅转接基板上表面的塑封体表面均处于同一平面内，无源元件的表面低于TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片背面。