公开(公告)号：CN113990808A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111258550.X

申请日：2021-10-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 岳永豪 ,  郑晓琼 ,  梅志鹏 ,  李宝霞

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明提供一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法，能够实现切割胶带与晶圆切割道结构牢固贴附，改善晶圆切割质量，提高Die成品率。一种双面布线晶圆切割道结构，包括多片Die，Die下表面的RDL布线层与切割道区域之间的厚度差形成U型切割道；所述U型切割道的中间设置一道横梁。一种双面布线晶圆切割道结构制备方法，包括以下步骤：对晶圆上表面进行临时键合，并对形成的临时键合晶圆下表面减薄加工；在减薄的临时键合晶圆下表面依次进行介质层制备、TSV铜柱露铜和RDL布线层制备；在RDL布线层表面制备绝缘层，并在U型切割道的中间制备所述横梁，完成包含所述横梁的晶圆切割道结构的制备。

公开(公告)号：CN111312656A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010139857.7

申请日：2020-03-03

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 岳永豪 ,  吴道伟 ,  刘建军 ,  牛昊 ,  梅志鹏

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理方法，包括如下步骤，步骤1，先在TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆的图形面喷涂一层光刻胶，再将所述晶圆的中心位置遮挡后进行定向曝光，该晶圆未曝光的区域为边缘区域，最后去除该晶圆边缘区域的光刻胶；步骤2，将步骤1得到的晶圆去胶处理后浸泡在腐蚀液中，得到去除面铜，以及铜凸点或铜凸块的晶圆；步骤3，将步骤2得到的晶圆图形面的光刻胶去除，并对所得晶圆的背面进行减薄处理，完成TSV盲孔电镀铜硬翘曲晶圆化学机械抛光前的预处理。本发明将晶圆自身的硬翘曲转变为软翘曲，从而更容易实现晶圆与抛光垫的完全接触，实现全局平坦化。

公开(公告)号：CN113410164A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663132.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 梅志鹏 ,  岳永豪 ,  张宁

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法，属于半导体封装技术领域，通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上，实现单芯片与DAF胶带的贴合，然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施，有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题，从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶，可以将底部空洞率控制在5％以内，胶层均匀性控制在10％，溢胶范围不超过20μm，杜绝翻胶的发生。