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公开(公告)号：CN105182691B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510325815.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开涉及用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置。一种用于对衬底上的结构进行曝光的方法，包括将不变掩模版和可编程掩模版定位在光源和将被曝光于光的衬底上的层之间的光路中，以及通过使来自光源的光穿过不变掩模版和可编程掩模版来对衬底上的层进行曝光。
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公开(公告)号：CN105140139B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510411275.9
申请日：2015-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/82 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0312 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05016 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05672 , H01L2224/80203 , H01L2224/80825 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624
Abstract: 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中，形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。
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公开(公告)号：CN105575840B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510716311.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种用于处理衬底的方法和用于集成电路的工艺筛选的方法。根据各个实施例，一种用于处理衬底的方法可以包括：在该衬底之上形成电介质层，该电介质层可以包括多个测试区域；在该电介质层之上形成导电层以在该多个测试区域中接触该电介质层；同时在该多个测试区域中对该电介质层进行电学检测，其中该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的部分通过导电材料彼此导电连接；以及将所述该导电层分隔成所述该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的各个多个部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105182691A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510325815.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058
Abstract: 本公开涉及用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置。一种用于对衬底上的结构进行曝光的方法，包括将不变掩模版和可编程掩模版定位在光源和将被曝光于光的衬底上的层之间的光路中，以及通过使来自光源的光穿过不变掩模版和可编程掩模版来对衬底上的层进行曝光。
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公开(公告)号：CN104183578A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410219302.8
申请日：2014-05-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L29/7391 , H01L29/7397 , H01L2224/04042 , H01L2224/05023 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一些实施例涉及具有集成裂缝传感器的半导体部件以及用于检测半导体部件中裂缝的方法。第一实施例涉及一种半导体部件。所述半导体部件具有半导体主体，其具有底部侧和在竖直方向上与底部侧远离间隔的顶部侧。在竖直方向上，半导体主体具有某个厚度。半导体部件还具有裂缝传感器，配置成检测在半导体主体中的裂缝。裂缝传感器延伸进入半导体主体。裂缝传感器和底部侧之间的距离小于半导体主体的厚度。
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公开(公告)号：CN107845599A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710854048.2
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/68785 , B25B11/005 , G01R31/2865 , G01R31/2874 , G01R31/2891 , H01L21/68757 , H01L21/6838 , H01L22/14
Abstract: 一种晶片吸盘(300)，所述晶片吸盘(300)被配置成用来在晶片测试步骤期间支撑晶片(100)，包括用于在与所述晶片接触的同时支撑所述晶片(100)的接触部分(310)。所述接触部分(310)由导电材料制成，所述导电材料具有大于1500℃的熔点。
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公开(公告)号：CN105575840A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510716311.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/28158 , H01L22/34 , H01L29/66568 , H01L29/94
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种用于处理衬底的方法和用于集成电路的工艺筛选的方法。根据各个实施例，一种用于处理衬底的方法可以包括：在该衬底之上形成电介质层，该电介质层可以包括多个测试区域；在该电介质层之上形成导电层以在该多个测试区域中接触该电介质层；同时在该多个测试区域中对该电介质层进行电学检测，其中该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的部分通过导电材料彼此导电连接；以及将所述该导电层分隔成所述该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的各个多个部分。
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公开(公告)号：CN105140139A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510411275.9
申请日：2015-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/82 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0312 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05016 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05672 , H01L2224/80203 , H01L2224/80825 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L24/81
Abstract: 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中，形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。
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