公开(公告)号：CN104183578A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410219302.8

申请日：2014-05-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·聪德尔 ,  U·施马尔茨鲍尔 ,  R·策尔扎赫尔

IPC: H01L25/00 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一些实施例涉及具有集成裂缝传感器的半导体部件以及用于检测半导体部件中裂缝的方法。第一实施例涉及一种半导体部件。所述半导体部件具有半导体主体，其具有底部侧和在竖直方向上与底部侧远离间隔的顶部侧。在竖直方向上，半导体主体具有某个厚度。半导体部件还具有裂缝传感器，配置成检测在半导体主体中的裂缝。裂缝传感器延伸进入半导体主体。裂缝传感器和底部侧之间的距离小于半导体主体的厚度。

公开(公告)号：CN114927483A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210129107.0

申请日：2022-02-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·尊德尔 ,  S·阿纳尼夫 ,  A·贝伦特 ,  H·多普克 ,  U·施马尔茨鲍尔 ,  M·索格 ,  D·瑟默

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L29/417 ,  H01L21/56 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及具有聚合物基绝缘材料的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一主表面的半导体衬底和在第一主表面上方的金属结构。金属结构具有包括过渡区段的外围区，金属结构沿着该过渡区段从第一厚度过渡到小于第一厚度的第二厚度。聚合物基绝缘材料接触并覆盖金属结构的至少外围区。聚合物基绝缘材料的厚度在金属结构的背离半导体衬底的第一主表面上开始增加，并且在朝向过渡区段的方向上继续增加。关于金属结构的第一主表面测量的、聚合物基绝缘材料的背向半导体衬底的表面的平均斜度沿着金属结构的外围区小于60度。