-
公开(公告)号:CN105575840A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201510716311.2
申请日:2015-10-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/28158 , H01L22/34 , H01L29/66568 , H01L29/94
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种用于处理衬底的方法和用于集成电路的工艺筛选的方法。根据各个实施例,一种用于处理衬底的方法可以包括:在该衬底之上形成电介质层,该电介质层可以包括多个测试区域;在该电介质层之上形成导电层以在该多个测试区域中接触该电介质层;同时在该多个测试区域中对该电介质层进行电学检测,其中该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的部分通过导电材料彼此导电连接;以及将所述该导电层分隔成所述该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的各个多个部分。
-
公开(公告)号:CN105575840B
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201510716311.2
申请日:2015-10-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种用于处理衬底的方法和用于集成电路的工艺筛选的方法。根据各个实施例,一种用于处理衬底的方法可以包括:在该衬底之上形成电介质层,该电介质层可以包括多个测试区域;在该电介质层之上形成导电层以在该多个测试区域中接触该电介质层;同时在该多个测试区域中对该电介质层进行电学检测,其中该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的部分通过导电材料彼此导电连接;以及将所述该导电层分隔成所述该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的各个多个部分。
-