公开(公告)号：CN117652031A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280049904.6

申请日：2022-03-16

Applicant: 索尼半导体解决方案公司 ,  索尼集团公司

Inventor： 齐藤阳介 ,  菅野雅人 ,  服部真之介 ,  小林一 ,  塚本竹雄 ,  中込湧士郎 ,  高桥千明 ,  稲叶未华 ,  须田洋辅 ,  福原庆 ,  茂木英昭

IPC: H01L27/146 ,  H04N23/54

Abstract: 根据本发明的一个实施方案的摄像元件设置有：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；有机层，所述有机层布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少包括光电转换层；以及第一半导体层，所述第一半导体层布置在所述第二电极与所述有机层之间并且具有4.5eV以上且6.0eV以下的电子亲和力，同时包含第一含碳化合物和第二含碳化合物，所述第一含碳化合物具有大于4.8eV的电子亲和力或大于所述第二电极的功函数的电子亲和力，所述第二含碳化合物具有大于5.5eV的电离电位。

公开(公告)号：CN118104415A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069107.4

申请日：2022-11-02

Applicant: 索尼半导体解决方案公司 ,  索尼集团公司

Inventor： 茂木英昭 ,  小林一 ,  村田昌树 ,  须田洋辅 ,  中込湧士郎 ,  椙村知佳

IPC: H10K30/60 ,  H01L27/146

Abstract: 根据本公开实施方案的有机半导体膜包含具有结晶性的有机半导体材料、具有载流子传输性并且在XRD光谱中的15°以上且30°以下的衍射角(2θ)范围内具有三个结晶峰。

公开(公告)号：CN111029464B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201911044857.2

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H10K30/20 ,  H10K30/85 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

Abstract: 本公开提供了一种光电转换膜，其包含不吸收可见光且由通式(3)和通式(4)中的至少一个表示的透明化合物。[化学式3]#imgabs0#

公开(公告)号：CN116324529A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180067983.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 茂木英昭 ,  中村仁 ,  岩下润 ,  加藤寛

IPC: G02B3/00

Abstract: 本发明提供了能够以适当的方式将透镜或发光元件设置在基板上的发光装置以及发光装置制造方法。本发明的发光装置包括：第一基板；设置于所述第一基板的下表面上的发光元件；设置于所述第一基板的上表面上的透镜；设置于所述第一基板的上表面上的第一凸部；和设置于所述第一基板的上表面上的第一膜，所述第一膜包括布置于所述透镜上或用于形成所述透镜的第一部分及布置于所述第一凸部上或用于形成所述第一凸部的第二部分，而且，所述第一部分的最上部的高度等于或低于所述第二部分的最上部的高度。

公开(公告)号：CN116207116A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310099447.8

申请日：2017-07-20

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 广濑遥平 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  茂木英昭 ,  坂东雅史 ,  榎修

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明涉及固态摄像元件和固态摄像装置。其中，固态摄像元件可包括：下电极；上电极，其与所述下电极相对；光电转换层，其设置在所述下电极与所述上电极之间，并包括第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在所述上电极与所述光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度范围在0体积％以上且小于0.05体积％。

公开(公告)号：CN112531121A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011258985.X

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

公开(公告)号：CN112510153A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011259273.X

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

公开(公告)号：CN112002809A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010731351.5

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN107615504B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201680029802.2

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN111316459A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071860.0

申请日：2018-10-30

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 氏家康晴 ,  齐藤阳介 ,  长谷川雄大 ,  茂木英昭 ,  榎修 ,  根岸佑树

IPC: H01L51/42 ,  C07D495/04 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L31/10

Abstract: 根据本公开的光电转换元件设置有：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对地布置；以及有机层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括有机光电转换层。构成所述有机层的至少一层被形成为包含由以下通式(1)表示的至少一种有机半导体材料。