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公开(公告)号：CN119069495A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411069531.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76 , H04N25/778 , H04N25/17 , H04N25/79
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN118805452A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025203.3
申请日：2023-03-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本发明实施方案的光电转换元件设置有：平行设置的第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对设置的第三电极；设置在所述第一电极和所述第二电极与所述第三电极之间的光电转换层；以及设置在所述第一电极和所述第二电极与所述光电转换层之间，并且包括从所述第一电极和第二电极一侧连续层叠的第一层和第二层的半导体层，所述第一层的厚度小于所述第二层的厚度并且为3nm以上且5nm以下。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN114556574A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071698.X
申请日：2020-11-12
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112119500A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980031496.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/088 , H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/49 , H01L29/786 , H04N5/374
Abstract: 提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。
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公开(公告)号：CN112002808A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010731230.0
申请日：2016-05-19
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN112002806A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010730884.1
申请日：2016-05-19
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。
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公开(公告)号：CN118830086A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025765.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H10K30/60 , H10K39/32
Abstract: 根据本发明的实施方案的摄像元件包括：第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对设置的第三电极；设置在所述第三电极与所述第一和第二电极之间的光电转换层；在所述第二电极上方具有开口并且设置在所述光电转换层与所述第一和第二电极之间的绝缘层；和设置在所述光电转换层与所述绝缘层之间的半导体层，并且所述半导体包括第一层和第二层，所述第一层形成在至少所述第一电极上方，并且所述第二层形成在至少所述第二电极上方，所述第二层经由所述开口电连接至所述第二电极，并且所述第二层在材料组成、结晶性、所含杂质浓度和构成元素中的至少一者上与所述第一层不同。
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公开(公告)号：CN112088430B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980029961.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K39/38 , H04N25/70
Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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