公开(公告)号：CN116744702A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310512225.4

申请日：2017-07-20

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 广濑遥平 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  茂木英昭 ,  坂东雅史 ,  榎修

IPC: H10K30/60 ,  H10K85/00 ,  H10K39/32 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中，光检测元件可包括：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对；以及光电转换层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层，所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述激子离解层包括第三半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级，或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。

公开(公告)号：CN115312666A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210905108.X

申请日：2017-06-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 松泽伸行 ,  长谷川雄大 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  山口哲司 ,  榎修

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本公开的一个实施方式，光电转换元件包括：彼此相对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，并且所述第二有机半导体材料具有比所述第一有机半导体材料的HOMO能级深的HOMO能级。

公开(公告)号：CN107827884B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201710880142.5

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: C07D471/04 ,  C09B47/00 ,  C09B48/00 ,  C09B67/22 ,  H01L27/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

公开(公告)号：CN112542551A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011260773.5

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开提供了一种光电转换元件，其包括：光电转换膜；配置在所述光电转换膜两侧的一对电极，所述光电转换膜夹在其间；和配置在所述光电转换膜和一个电极之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。

公开(公告)号：CN106663686B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201580020326.3

申请日：2015-04-16

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 榎修

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明提供成像特性改善的光电转换膜、固态图像传感器和电子设备。本发明提供一种包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。

公开(公告)号：CN107827884A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710880142.5

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: C07D471/04 ,  C09B47/00 ,  C09B48/00 ,  C09B67/22 ,  H01L27/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0078 ,  C07D471/04 ,  C07F5/022 ,  C09B47/00 ,  C09B48/00 ,  C09B67/0033 ,  H01L27/30 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4246 ,  Y02E10/549

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

公开(公告)号：CN107078216A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580020332.9

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

公开(公告)号：CN106663686A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580020326.3

申请日：2015-04-16

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 榎修

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H01L51/00

Abstract: [目的]提供成像特性改善的光电转换膜、固态图像传感器和电子设备。[方案]提供一种包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。

公开(公告)号：CN112510154B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202011261026.3

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/00

Abstract: 本公开提供了一种光电转换膜，其包含不吸收可见光的透明化合物；和有机染料化合物，所述有机染料化合物吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的绿色光。

公开(公告)号：CN112531121B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202011258985.X

申请日：2015-04-08

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 尾花良哲 ,  根岸佑树 ,  长谷川雄大 ,  竹村一郎 ,  榎修 ,  茂木英昭 ,  松泽伸行

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/50 ,  H10K39/32

Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。#imgabs0#