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公开(公告)号:CN112074964A
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201980025104.9
申请日:2019-04-04
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L51/42 , A61B1/04 , G02B23/24 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 根据本发明实施例的光电转换元件包括:第一电极;第二电极,被布置与所述第一电极相对;和光电转换层,被布置为在所述第一电极和所述第二电极之间并与所述第一电极和所述第二电极相对,所述光电转换层包括由以下通式(1)表示的第一化合物和骨架不同于第一化合物的第二化合物。(R1至R10分别独立地表示氢原子,卤素原子,氨基基团,羟基基团,烷氧基基团,酰基氨基基团,酰氧基基团,苯基基团,羧基基团,酰胺基团,羰基烷氧基基团,酰基基团,磺酰基基团,氰基基团和硝基基团,直链、支链或环状烷基基团,芳基基团,杂芳基基团,杂芳基氨基基团,具有芳基氨基作为取代基的芳基基团,具有杂芳基氨基作为取代基的芳基基团,具有芳基氨基作为取代基的杂芳基基团、具有杂芳基氨基作为取代基的杂芳基基团,或者它们的衍生物。R1至R10可以在除了R4和R5之间以外的两个相邻的取代基之间形成环。此外,R1至R10中的至少两者具有氢原子以外的取代基。)
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公开(公告)号:CN111316459A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201880071860.0
申请日:2018-10-30
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L51/42 , C07D495/04 , H01L27/146 , H01L27/30 , H01L31/10
Abstract: 根据本公开的光电转换元件设置有:第一电极;第二电极,其与所述第一电极相对地布置;以及有机层,其设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括有机光电转换层。构成所述有机层的至少一层被形成为包含由以下通式(1)表示的至少一种有机半导体材料。
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公开(公告)号:CN117546627A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202280043629.7
申请日:2022-06-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
Abstract: 根据本公开实施例的第一半导体元件包括:第一电极;第二电极,其布置成与第一电极相对;以及有机半导体层,其设置在第一电极和第二电极之间并且包括有机半导体材料,该有机半导体材料的粉末通过X射线结构分析具有大于1.26g/cm3且小于1.50g/cm3的晶体密度,并且该有机半导体材料具有1200以下的分子量且适用于真空沉积成膜。
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公开(公告)号:CN107827884B
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201710880142.5
申请日:2015-04-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
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公开(公告)号:CN112542551A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011260773.5
申请日:2015-04-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本公开提供了一种光电转换元件,其包括:光电转换膜;配置在所述光电转换膜两侧的一对电极,所述光电转换膜夹在其间;和配置在所述光电转换膜和一个电极之间的空穴阻挡层,其中,所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。
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公开(公告)号:CN107827884A
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201710880142.5
申请日:2015-04-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
CPC classification number: H01L51/0078 , C07D471/04 , C07F5/022 , C09B47/00 , C09B48/00 , C09B67/0033 , H01L27/30 , H01L27/307 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/424 , H01L51/4246 , Y02E10/549
Abstract: 本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
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