公开(公告)号：CN107615504A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029802.2

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN112002809A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010731351.5

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN107615504B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201680029802.2

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN112002808A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010731230.0

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。

公开(公告)号：CN112002806A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010730884.1

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN112002809B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202010731351.5

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H10K30/30 ,  H10K85/20 ,  H10K39/32

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN112002807B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202010730929.5

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H10K30/60 ,  H10K39/32 ,  H10K85/20 ,  H10K101/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。

公开(公告)号：CN112002810B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202010731435.9

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H10K30/30 ,  H10K85/20 ,  H10K39/32

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN112002810A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010731435.9

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

公开(公告)号：CN112002807A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010730929.5

申请日：2016-05-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川雄大 ,  松泽伸行 ,  尾花良哲 ,  竹村一郎 ,  中山典一 ,  下川雅美 ,  山口哲司 ,  八木岩 ,  茂木英昭

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。